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本发明通过使用一种新技术检测基底上的电场强度，而改进了多芯片模块（ＭＣＭ）的可测试性。本发明采用非侵袭性的基于激光的仪器探测用极化聚酰亚胺层间电介质和在硅载体上的薄膜金属化制造的ＭＣＭ结构。用激光器探测ＭＣＭｓ的电路元件特征以检测电场强度。...
该专利属于约翰霍普金斯大学所有，仅供学习研究参考，未经过约翰霍普金斯大学授权不得商用。

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