电子元件能量冲击测试系统及方法技术方案

本发明专利技术公开了一种电子元件能量冲击测试系统及方法，该系统包含一非破坏性电子元件测试模式、一破坏性电子元件测试模式及一程序控制结构；利用共用程序控制结构将非破坏性测试模式及破坏性测试模式整合于一测试系统，该非破坏性测试模式对所有产品进行结构品质检测以提升产品可信赖度，而该破坏性测试模式则在待测元件进行能量冲击测试时缩短测试时间；本发明专利技术适用于电子元件的耐冲击能力测试、或连续模拟瞬间冲击测试、及结构品质检测分析。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子元件的测试，尤其是一种，该系统具有破坏性及非破坏性电子元件测试模式的测试系统，适用于电子元件的结构品质检测及产品全面耐冲能力测试分析。现有技术的电子元件测试系统，如于中国台湾88年6月11日公告的中国台湾专利公报公告第361627号“电阻负荷测试机构”新型专利案，该机构包括一底座，呈长条型式；两电极板为固定在底座上，其为水平延伸到至少为底座的长度，并呈直立片状型式接通外界电源，两电极板的顶面为可供电阻带滑过；一上盖可供组合于底座上方，内底面形成皮带轮及适当长度的滚压皮带，且此滚压皮带为对应于电阻带的各电阻的两侧导脚处；借由电阻带穿过上盖与底座所界定的区域输送之际，通过上盖的滚压皮带使电阻带的各电阻导脚确实地与两电极板接触，以进行连续通电测试。然而，该第361627号的测试机构仅具有单一的测试模式，其无法分别利用同一机构进行不同测试模式如破坏性及非破坏性电子元件测试模式。因此，在单一测试机构内需要适当整合不同测试模式以解决前述技术问题。此外，传统上产品结构品质检测仅利用样检方式取一定数量的产品进行检测，而无法进行全面的产品结构品质检测。为克服现有技术的上述缺点，本专利技术提供了一种，可进行电子元件的结构品质检测及产品全面耐冲能力测试分析。该电子元件能量冲击测试系统包含一对待测元件进行模拟连续瞬间能量冲击测试直至其结构崩溃为止、以便测试该待测元件结构品质的破坏性电子元件测试模式；一对待测元件进行模拟一次瞬间能量冲击测试、以便测试该待测元件能量耐冲能力的非破坏性电子元件测试模式；一用以控制该破坏性电子元件测试模式及非破坏性电子元件测试模式的程序控制结构。该电子元件能量冲击测试方法包含判别是否执行破坏性单点能量冲击的测试步骤；若选择执行破坏性能量冲击测试时，则执行测试参数设定步骤，载入测试程序步骤，测试电容器开始充电步骤，对待测元件进行瞬间能量冲击，耐冲击次数计数步骤；在进行计数步骤后，执行判别是否接收崩溃信号；若未收到崩溃信号时，一直重复执行载入测试程序步骤；若收到收崩溃信号时，执行结束能量冲击步骤，回到能量冲击测试系统；若不选择执行破坏性多点能量冲击测试时，则执行测试参数设定步骤、载入非破坏性多点能量冲击测试程序步骤，判别是否执行负温度系数热敏电阻进料，若未进料时，回到能量冲击测试系统，若进料时，待测试元件进入测试区执行定位锁定；判别相位侦测是否在90度，若相位不在90度时，一直重复执行判别直至相位在90度为止，若相位在90度时，执行启动第一组开关阵列进行循序多点能量冲击测试；执行启动第二组开关阵列进行测试电容器放电，使测试电容器的电压为零，并一直重复执行判别是否执行负温度系数热敏电阻进料，直至未进料时，回到能量冲击测试系统。本专利技术的有益效果是因其利用共用程序控制结构将不同测试模式整合于一测试系统，对待测元件进行能量冲击测试及连续模拟瞬间冲击测试，所以具有自动化循序控制方式及整合多种测试模式的功效；另外，其缩短了能量冲击测试时间及可全面连续品检测试，使本专利技术具有提升测试精确度及产品可赖度的功效。以下为本专利技术的附图附图说明图1本专利技术较佳实施例电子元件能量冲击测试方法的流程图；图2本专利技术较佳实施例电子元件能量冲击测试系统的破坏性单点测试结构的示意图；图3本专利技术较佳实施例电子元件能量冲击测试系统的破坏性单点测试结构的控制电路图；图4本专利技术较佳实施例电子元件能量冲击测试系统的破坏性单点测试结构的崩溃感测电路图；图5本专利技术较佳实施例电子元件能量冲击测试系统的非破坏性多点测试结构及检测电路图。下面结合附图对本专利技术做进一步详述本专利技术的电子元件能量冲击测试系统，其非破坏性测试模式及破坏性测试模式以程序语言如Visual Basic、C语言、组合语言等撰写，利用主控电脑及可程序控制卡执行完成，提供精确连续模拟瞬间冲击电流及能量冲击功能，使用于待测试元件的耐冲击能力测试及结构品质检测分析。本专利技术较佳实施例的电子元件能量冲击测试系统，举例使用于负温度系数热敏电阻的测试。该负温度系数热敏电阻做为涌流抑制元件。在电路内造成涌流产生的主要因素为当电源电路开关瞬间启动时，由于滤波电路瞬间造成短路现象，因而有极大瞬间电流流经后级电路，若该瞬间涌入电流无法立即抑制时，可能造成周围电子元件的破坏及减低产品使用寿命。因此该负温度系数热敏电阻应用于电路内抑制涌入电流。该负温度系数热敏电阻对涌流抑制完成后必须有一冷却时间才能有效抑制下一次涌流。一般交流电源为110V/60Hz或220V/60Hz，其在1/4周期时开关瞬间启动产生最大瞬间冲击电流，因此必须模拟极短冲击时间、产生最大冲击电流及电阻冷却时间。为了进一步分析该负温度系数热敏电阻的结构品质，必须模拟一连续性且产生极稳定性最大电流对该负温度系数热敏电阻做连续性破坏冲击测试直至该电阻崩溃为止，该模式为破坏性单点测试模式。为了进一步检测分析产品结构品质，其结构有效率的同时对多颗电子元件进行能量冲击测试。本专利技术的图1揭示较佳实施例电子元件能量冲击测试方法的流程图，该流程依序包含非破坏性测试模式及破坏性测试模式。本专利技术的图2揭示较佳实施例破坏性单点测试结构的示意图。本专利技术的图3揭示较佳实施例破坏性单点测试结构的控制电路图。本专利技术的图4揭示较佳实施例破坏性单点测试结构的崩溃感测电路图。本专利技术的图5揭示较佳实施例非破坏性多点测试结构及检测电路图。请参照图1所示，本专利技术较佳实施例电子元件能量冲击测试系统首先判别是否执行破坏性单点能量冲击测试步骤。若选择执行破坏性单点能量冲击测试时，执行测试参数设定步骤，其包含1、可程序控制卡初始设定，2、破坏性单点能量冲击测试参数设定，3、设定冲击时间，4、设定冷却时间。然后执行载入测试程序步骤，测试电容器开始充电步骤；对待测负温度系数热敏电阻进行瞬间能量冲击；耐冲击次数计数步骤。在进行计数步骤后，判别是否接收崩溃信号，若未收到崩溃信号时，一直重复执行载入测试程序步骤；若收到崩溃信号时，执行结束能量冲击步骤，回到能量冲击测试系统。若该系统不执行破坏性单点能量冲击测试时，改执行非破坏性多点能量冲击测试，在选择执行非破坏性多点能量冲击测试时，执行测试参数设定步骤，其包含1、可程序控制卡初始设定，2、非破坏性多点能量冲击测试参数设定，3、定位校正。接着执行载入测试程序步骤，判别是否执行负温度系数热敏电阻进料；若未进料时，回到能量冲击测试系统。若进料时，负温度系数热敏电阻进入多点测试区执行定位锁定。判别相位侦测是否在90度，若相位不在90度时一直重复执行判别，直至相位在90度为止；若相位在90度时，执行启动第一组开关阵列进行循序多点能量冲击测试；执行启动第二组开关阵列进行测试电容器放电，使测试电容器的电压为零，并一直重复执行判别是否执行负温度系数热敏电阻进料，直至未进料时，回到能量冲击测试系统。请参照图2所示，破坏性单点测试结构包含一主控电脑、一可程序控制卡、一测试基座、一控制电路、一可调式直流电源供应器、一崩溃感测电路。请参照图3所示，该破坏性单点测试结构的控制电路包含一开关模组、二开关驱动电路及二电源电路。该开关模组系由二半导体开关元件SW1及SW2组成，其系由主控电脑通过可程序控制卡驱动并控制该开关模组的ON/OFF切换时间，其中该SW1控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件能量冲击测试系统，其特征是：该测试系统包含：一对待测元件进行模拟连续瞬间能量冲击测试直至其结构崩溃为止、以便测试该待测元件结构品质的破坏性电子元件测试模式；一对待测元件进行模拟一次瞬间能量冲击测试、以便测试该待测元件能量 耐冲能力的非破坏性电子元件测试模式；一用以控制该破坏性电子元件测试模式及非破坏性电子元件测试模式的程序控制结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志溢，许家祯，黄镫汉，
申请(专利权)人：大冈科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]