一种导流器和外延晶片制造设备制造技术

本发明专利技术提供一种导流器和外延晶片制造设备，涉及外延晶片制备领域，所述导流器应用于外延晶片制造设备的排气部件，所述排气部件包括相对设置的第一进气口和第一出气口，以及贯通所述第一进气口和所述第一出气口的、用于容纳所述导流器的排气通道；所述导流器包括相对设置的第二进气口和第二出气口，以及，贯通所述第二进气口和所述第二出气口的导流通道，从所述第二进气口到所述第二出气口的方向上，所述导流通道的尺寸逐渐减小，所述第二进气口的形状和尺寸与所述第一进气口的形状和尺寸相匹配。本发明专利技术可以解决外延晶片制造设备使用时副产物堆积、影响外延晶片品质的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种导流器和外延晶片制造设备
本专利技术实施例涉及外延晶片制备领域，尤其涉及一种导流器和外延晶片制造设备。
技术介绍
镜面加工的硅片上，以单晶体的薄膜生长的称为外延晶片(EpitaxialWafer)，比现有单晶体硅片的表面缺陷更少。上述外延晶片膜具有纯度高，晶体特性优良，提高固态半导体的数率及元器件特性的优点。外延晶片基本上是利用化学气象沉淀(ChemicalVaporDeposition，简称CBD)设备，将高温密闭反应炉(Processchamber)内含硅源气体注入单晶体硅片表面，使单晶体沉淀在表面并生长。请参见图1，图1是现有技术中一种外延晶片制造设备的结构示意图，外延晶片制造设备中部为具有上下顶密封的反应炉炉体，炉体内部设有圆形感应器，用于安放制备外延晶片的单晶硅片，圆形感应器由近及远依次设有预加热环和环形的底盘，反应气体从外延晶片制造设备的进气帽经进气部件流向感应器，再经排气部件流向排气帽后流出。从进气帽流入的硅源气体经过单晶硅片表面时，进行沉淀和生长同时排出。请参见图1，图1是现有技术中一种外延晶片制造设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导流器，其特征在于，应用于外延晶片制造设备的排气部件，所述排气部件包括相对设置的第一进气口和第一出气口，以及贯通所述第一进气口和所述第一出气口的、用于容纳所述导流器的排气通道；/n所述导流器包括相对设置的第二进气口和第二出气口，以及，贯通所述第二进气口和所述第二出气口的导流通道，从所述第二进气口到所述第二出气口的方向上，所述导流通道的尺寸逐渐减小，所述第二进气口的形状和尺寸与所述第一进气口的形状和尺寸相匹配。/n

【技术特征摘要】
1.一种导流器，其特征在于，应用于外延晶片制造设备的排气部件，所述排气部件包括相对设置的第一进气口和第一出气口，以及贯通所述第一进气口和所述第一出气口的、用于容纳所述导流器的排气通道；
所述导流器包括相对设置的第二进气口和第二出气口，以及，贯通所述第二进气口和所述第二出气口的导流通道，从所述第二进气口到所述第二出气口的方向上，所述导流通道的尺寸逐渐减小，所述第二进气口的形状和尺寸与所述第一进气口的形状和尺寸相匹配。


2.根据权利要求1所述的导流器，其特征在于，所述第一进气口为一弧面，所述第二进气口的形状和尺寸与所述弧面的形状和尺寸相匹配。


3.根据权利要求2所述的导流器，其特征在于，所述导流通道呈梯形棱台结构，所述第二进气口和所述第二出气口的截面均为矩形，所述截面为垂直于所述导流通道的延伸方向上的截面。


4.根据权利要求3所述的导流器，其特征在于，所述第二进气口的截面和所述第二出气口的截面的长边...

【专利技术属性】
技术研发人员：金柱炫，王力，刘凯，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61