在铜大马士革技术中用于估计凹陷和侵蚀效应的测试结构制造技术

一种测试结构将用于侵蚀评价的第一结构（１０１０）与用于提取缺陷尺寸分布的第二结构（１０００）结合起来。第一结构（１０１０）为可用于测定随金属高度而变化的电阻值的环结构。第二结构为ＮＥＳＴ结构（１０００）。环结构（１０１０）的环形线被连接到ＮＥＳＴ结构（１０００）的两侧。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于测量和评价集成电路制造过程的有关处理与设计的统计变化的方法，以便判定这些变化的来源及其对产品的产量和性能的影响。
技术介绍
在铜(Cu)大马士革半导体制造过程中，凹陷(dishing)和侵蚀(erosion)效应深为人知(见图1、2A和2B)。图1示出了在化学机械抛光(CMP)之前的具有铜12和氧化物11层的结构110。图2A示出了具有Cu凹陷情况120的结构，其中氧化物层121和Cu层122与氧化物层121上端的原始高度125相比，分别降低了高度123和124，这样Cu层122低于氧化物层121的上端。图2B示出了处于“Cu起”情况的结构130，其中氧化物层131和Cu层132与氧化物层131上端的原始高度135相比，分别降低了高度133和134，这样Cu层132的上端低高于氧化物层131的上端。在处理过程中很难优化这些效应，因为它们会与处理方法的设置(settings)发生清楚而相反的交互作用。因此，最好是能够将凹陷和侵蚀效应区分开来，以利于进行快速处理和优化。在进行Cu处理期间，物理测量一般用于确认凹陷和侵蚀效应。由于这些测量方法很耗时，因此在进行处理期间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试结构，具有用于侵蚀评价的第一结构和用于提取缺陷尺寸分布和缺陷密度分布的第二结构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼斯J契普利卡斯，马库斯德克尔，克里斯托弗赫斯，布莱恩E斯泰恩，拉尔格韦兰，
申请(专利权)人：PDF技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]