一种屏蔽结构、电路以及电源适配器制造技术

一件种屏蔽结构、电路以及电源适配器。本发明专利技术在电路中的整流滤波电容与其他元件之间设置有两个屏蔽层，并设置其中一个屏蔽层连接电路的副边地SGND，设置其中的另一个屏蔽层连接电路的副边地SGND。本发明专利技术能够利用屏蔽结构的这种电路连接关系，使得整流滤波电容与屏蔽层之间的等效寄生电容

The utility model relates to a shielding structure, a circuit and a power adapter

【技术实现步骤摘要】
一种屏蔽结构、电路以及电源适配器
本专利技术涉及电磁干扰屏蔽技术，具体而言涉及一种屏蔽结构、电路以及电源适配器。
技术介绍
电源适配器电路结构中，各器件之间由于近场耦合作用，会在各器件之间产生寄生电容分布。各寄生电容会等效并联在电源适配器中共模电感的两端。电源适配器中的共模电感，其设置的目的是用于抑制共模噪声。理论上，共模电感自身阻抗越大，其对适配器电路中共模噪声的抑制程度越高，能够尽可能降低共模噪声所带来的干扰。但是，由于寄生电容的分布，在电源适配器的等效电路中，该共模电感实际上并联有一个等效的寄生电容，该等效的寄生电容容值由各器件之间近场耦合作用大小而共同决定。由于电容的阻抗与其中所通过的电信号的频率成反比。因此，高频状态下，上述等效的寄生电容分布会导致共模电感两端等效并联一个具有较小阻抗的电容。而这个等效的小阻抗电容与共模电感并联，又会使得并联后整体回路的阻抗几乎直接由该阻抗小的等效寄生电容决定。极端情况下，在电路高频工作的时候，上述寄生电容的分布会基本让共模电感失效，使得并联后整体回路的阻抗降低，不利于抑制电路中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种屏蔽结构，其设置在电路中，其特征在于，所述屏蔽结构包括：/n第一屏蔽层（1），其连接电路的副边地（SGND）；/n第二屏蔽层（2），其连接电路的原边地（PGND）；/n并且，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层分别设置在电路中的整流滤波电容与电路中的其他元件之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽结构，其设置在电路中，其特征在于，所述屏蔽结构包括：
第一屏蔽层（1），其连接电路的副边地（SGND）；
第二屏蔽层（2），其连接电路的原边地（PGND）；
并且，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层分别设置在电路中的整流滤波电容与电路中的其他元件之间。


2.如权利要求1所述的屏蔽结构，其特征在于，所述第一屏蔽层（1）设置在整流滤波电容与电路中其他元件之间；
所述第二屏蔽层（2）设置在第一屏蔽层（1）与电路中的其他元件之间。


3.如权利要求1所述的屏蔽结构，其特征在于，所述电路包括：
原边电路板，其设置在电路的变压器原边；
二次侧电路板，其设置在电路的变压器副边；
整流滤波电容（3），其设置在原边电路板上，或横跨原边电路板和二次侧电路板，所述整流滤波电容（3）的管脚接于电路的原边；
变压器，其设置在原边电路板和二次侧电路板之间，位于电路的另一侧；
所述第一屏蔽层（1）和第二屏蔽层（2）均至少部分包裹所述整流滤波电容（3），所述第一屏蔽层（1）和第二屏蔽层（2）均设置在整流滤波电容和滤波电磁元件之间，并且，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层均设置在整流滤波电容和变压器之间。


4.如权利要求3所述的屏蔽结构，其特征在于，所述第一屏蔽层（1）和第二屏蔽层（2）之间相互重叠，并且，所述第一屏蔽层（1）和第二屏蔽层（2）之间相互绝缘。


5.如权利要求4所述的屏蔽结构，其特征在于，所述第一屏蔽层（1）包括：第一屏蔽面和第二屏蔽面，第一屏蔽面和第二屏蔽面之间一体设置或具有电连接，第一屏蔽面和第二屏蔽面之间设置具有紧贴整流滤波电容的夹角，所述第一屏蔽面设置在整流滤波电容的一侧和变压器之间，所述第二屏蔽面设置在整流滤波电容的另一侧和其他元器件之间；
所述第二屏蔽层（2）包括：第三屏蔽面和第四屏蔽面，第三屏蔽面和第四屏蔽面之间一体设置或具有电连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：包智杰，
申请(专利权)人：南京宏泰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32