一种屏蔽结构、电路以及电源适配器制造技术

一件种屏蔽结构、电路以及电源适配器。本发明专利技术在电路中的整流滤波电容与其他元件之间设置有两个屏蔽层，并设置其中一个屏蔽层连接电路的副边地SGND，设置其中的另一个屏蔽层连接电路的副边地SGND。本发明专利技术能够利用屏蔽结构的这种电路连接关系，使得整流滤波电容与屏蔽层之间的等效寄生电容

The utility model relates to a shielding structure, a circuit and a power adapter

【技术实现步骤摘要】
一种屏蔽结构、电路以及电源适配器
本专利技术涉及电磁干扰屏蔽技术，具体而言涉及一种屏蔽结构、电路以及电源适配器。
技术介绍
电源适配器电路结构中，各器件之间由于近场耦合作用，会在各器件之间产生寄生电容分布。各寄生电容会等效并联在电源适配器中共模电感的两端。电源适配器中的共模电感，其设置的目的是用于抑制共模噪声。理论上，共模电感自身阻抗越大，其对适配器电路中共模噪声的抑制程度越高，能够尽可能降低共模噪声所带来的干扰。但是，由于寄生电容的分布，在电源适配器的等效电路中，该共模电感实际上并联有一个等效的寄生电容，该等效的寄生电容容值由各器件之间近场耦合作用大小而共同决定。由于电容的阻抗与其中所通过的电信号的频率成反比。因此，高频状态下，上述等效的寄生电容分布会导致共模电感两端等效并联一个具有较小阻抗的电容。而这个等效的小阻抗电容与共模电感并联，又会使得并联后整体回路的阻抗几乎直接由该阻抗小的等效寄生电容决定。极端情况下，在电路高频工作的时候，上述寄生电容的分布会基本让共模电感失效，使得并联后整体回路的阻抗降低，不利于抑制电路中的共模噪声。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的不足，提供一种屏蔽结构、电路以及电源适配器，本专利技术利用两层屏蔽结构，使其分别连接原边地和副边地，从而避免寄生电容等效并联在共模电感两端，降低寄生电容对共模电感高频阻抗特性的影响。本专利技术具体采用如下技术方案。首先，为实现上述目的，提出一种屏蔽结构，其设置在电路中，包括：第一屏蔽层，其连接电路的副边地SGND；第二屏蔽层，其连接电路的原边地PGND；并且，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层分别设置在电路中的整流滤波电容与电路中的其他元件之间。可选的，如上任一所述的屏蔽结构，其中，所述第一屏蔽层设置在整流滤波电容与电路中的其他元件之间；所述第二屏蔽层设置在第一屏蔽层与电路中的其他元件之间。可选的，如上任一所述的屏蔽结构，其中，所述电路包括：原边电路板，其设置在电路的变压器原边；二次侧电路板，其设置在电路的变压器副边；整流滤波电容，其设置在原边电路板上，但是其元件因为比较大，有可能横跨原边电路板和二次侧电路板，所述整流滤波电容的管脚接于电路的原边；变压器，其设置在原边电路板和二次侧电路板之间，位于电路的另一侧；所述第一屏蔽层和第二屏蔽层均至少部分包裹所述整流滤波电容，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层均设置在整流滤波电容和滤波电磁元件之间，并且，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层均设置在整流滤波电容和变压器之间。可选的，如上任一所述的屏蔽结构，其中，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层之间相互重叠，并且，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层之间相互绝缘。可选的，如上任一所述的屏蔽结构，其中，所述第一屏蔽层包括：第一屏蔽面和第二屏蔽面，第一屏蔽面和第二屏蔽面之间一体设置或具有电连接，第一屏蔽面和第二屏蔽面之间设置具有紧贴整流滤波电容的夹角，所述第一屏蔽面设置在整流滤波电容的一侧和变压器之间，所述第二屏蔽面设置在整流滤波电容的另一侧和其他元器件之间；所述第二屏蔽层包括：第三屏蔽面和第四屏蔽面，第三屏蔽面和第四屏蔽面之间一体设置或具有电连接，第三屏蔽面和第四屏蔽面之间设置具有紧贴整流滤波电容的夹角，所述第三蔽面设置在第一屏蔽面和变压器之间，所述第四屏蔽面设置在第二屏蔽面和其他元器件之间。可选的，如上任一所述的屏蔽结构，其中，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层之间无直接电接触。可选的，如上任一所述的屏蔽结构，其中，所述第一屏蔽层为隔离在整流滤波电容与电路中电磁元件之间的一个金属片；所述第二屏蔽层为隔离在整流滤波电容与电路中电磁元件之间的另一个金属片；两个金属片之间设置有绝缘胶带或固定有绝缘机构。本专利技术还同时提供有一种电路，包括：原边电路板，其连接电路的输入端；二次侧电路板，其连接电路的输出端；整流滤波电容，其设置在原边电路板和二次侧电路板之间，位于电路的一侧；滤波电磁元件，其设置在原边电路板；第一屏蔽层，其与电路的副边地SGND电连接；第二屏蔽层，其与电路的原边地PGND电连接；所述第一屏蔽层和第二屏蔽层均设置在原边电路板和二次侧电路板之间，且所述第一屏蔽层和第二屏蔽层均位于整流滤波电容和滤波电磁元件之间。可选的，如上任一所述的电路，其中，所述电路包括但不限于：直流滤波器、交流滤波器、交直流混合模式的滤波器以及电源适配器电路。同时，为实现上述目的，本专利技术还提供一种电源适配器，其电路中设置有原边地PGND、副边地SGND以及整流滤波电容；该电源适配器中还设置有：第一屏蔽层，其与电源适配器电路中的副边地SGND电连接；第二屏蔽层，其与电源适配器电路中的原边地PGND电连接；并且，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层均至少部分地包裹在整流滤波电容的外周。有益效果本专利技术在电源适配器等电路结构中设置有两个屏蔽层，并设置其中一个屏蔽层连接原边地，其中另一个屏蔽层连接原边地。由此，本专利技术的等效电路中，整流滤波电容与屏蔽层之间的寄生电容不再与电路中的共模电感并联。由此，本专利技术在高频状态下工作的时候，共模电感的阻抗特性受寄生电容影响较小，不会因为寄生电容的影响而使得共模电感对高频噪声失去作用。另外，整流滤波电容与屏蔽层之间的寄生电容还会因为本专利技术中所增设的连接至副边地SGND的屏蔽层，而实现与隔离电容并联。一般而言，虽然寄生电容容值远远小于隔离电容的容值，但是其与隔离电容并联后依旧能够增加整体并联电容的容值总量。因此，本专利技术能够通过寄生电容增加隔离电容两端的等效容值，有利于增强共模电感回路的阻抗特性，能够对共模噪声起更好的抑制作用。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，并与本专利技术的实施例一起，用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是现有电源适配器的电路原理示意图。图2是现有屏蔽方式下电源适配器电路中各寄生电容的示意图。图3是图2所对应的等效电路图。图4是本专利技术所提供的屏蔽结构设置方式的示意图。图5是本专利技术所提供的屏蔽方式下电源适配器电路中各寄生电容的示意图。图6是图5所对应的等效电路图。图7是本专利技术屏蔽结构与现有技术的屏蔽效果对比图。图中，1-第一屏蔽层；2-第二屏蔽层；3-整流滤波电容；4-原边电路板；5-二次侧电路板；6-二极管整流电桥结构；7-变压器。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的和技术方案更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本
技术人员可以理解，除非另外定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种屏蔽结构，其设置在电路中，其特征在于，所述屏蔽结构包括：/n第一屏蔽层（1），其连接电路的副边地（SGND）；/n第二屏蔽层（2），其连接电路的原边地（PGND）；/n并且，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层分别设置在电路中的整流滤波电容与电路中的其他元件之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽结构，其设置在电路中，其特征在于，所述屏蔽结构包括：
第一屏蔽层（1），其连接电路的副边地（SGND）；
第二屏蔽层（2），其连接电路的原边地（PGND）；
并且，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层分别设置在电路中的整流滤波电容与电路中的其他元件之间。


2.如权利要求1所述的屏蔽结构，其特征在于，所述第一屏蔽层（1）设置在整流滤波电容与电路中其他元件之间；
所述第二屏蔽层（2）设置在第一屏蔽层（1）与电路中的其他元件之间。


3.如权利要求1所述的屏蔽结构，其特征在于，所述电路包括：
原边电路板，其设置在电路的变压器原边；
二次侧电路板，其设置在电路的变压器副边；
整流滤波电容（3），其设置在原边电路板上，或横跨原边电路板和二次侧电路板，所述整流滤波电容（3）的管脚接于电路的原边；
变压器，其设置在原边电路板和二次侧电路板之间，位于电路的另一侧；
所述第一屏蔽层（1）和第二屏蔽层（2）均至少部分包裹所述整流滤波电容（3），所述第一屏蔽层（1）和第二屏蔽层（2）均设置在整流滤波电容和滤波电磁元件之间，并且，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层均设置在整流滤波电容和变压器之间。


4.如权利要求3所述的屏蔽结构，其特征在于，所述第一屏蔽层（1）和第二屏蔽层（2）之间相互重叠，并且，所述第一屏蔽层（1）和第二屏蔽层（2）之间相互绝缘。


5.如权利要求4所述的屏蔽结构，其特征在于，所述第一屏蔽层（1）包括：第一屏蔽面和第二屏蔽面，第一屏蔽面和第二屏蔽面之间一体设置或具有电连接，第一屏蔽面和第二屏蔽面之间设置具有紧贴整流滤波电容的夹角，所述第一屏蔽面设置在整流滤波电容的一侧和变压器之间，所述第二屏蔽面设置在整流滤波电容的另一侧和其他元器件之间；
所述第二屏蔽层（2）包括：第三屏蔽面和第四屏蔽面，第三屏蔽面和第四屏蔽面之间一体设置或具有电连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：包智杰，
申请(专利权)人：南京宏泰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32