本发明专利技术公开了一种双极结型晶体管ICEO参数快速测试装置及方法，包括测试设备、含开关二的电路板，ICEO参数测试时，在ICEO参数测试项程序内部设置控制信号CBIT电平反转，使开关二断开并保持断开状态；双极结型晶体管的基极与测试设备不再连接，而集电极和发射极正常连接测试设备，测试设备执行ICEO参数测试动作；测试完成后，控制信号CBIT电平再次反转，使开关二闭合并保持闭合状态，双极结型晶体管的基极、集电极、发射极通过再次与测试设备连接，测试设备执行剩余其他项目。本发明专利技术不仅缩短了ICEO参数测试时间，而且提高了ICEO参数测试值的准确性和稳定性。的准确性和稳定性。的准确性和稳定性。
【技术实现步骤摘要】
一种双极结型晶体管ICEO参数快速测试装置及方法
[0001]本专利技术涉及一种双极结型晶体管ICEO参数快速测试装置及方法，属于分立半导体自动测试领域。
技术介绍
[0002]在小信号分立器件制造流程中，晶圆设计制造、封测、编带及包装分别约占制造成本的15%，35%，40%，10%。其中，影响封测成本最大的因素是封装类型，其次是测试效率。以国内某封测厂生产的MMBT3904三极管为例，如图1所示，FT（Final Test）全测试时间约为42ms，电压项目测试时间约占其中28.95%，漏电流类参数测试时间约占其中71.05%，漏电流类参数中，测试时间最长的是ICEO（Leakage current of collector and emitter when base open）。由此可见，漏电流参数测试时间对产品生产测试效率影响较大。
[0003]目前，分立半导体测试设备种类繁多，在小信号分立器件测试应用时，都存在漏电流参数测试时间长、测试准确性和稳定性差的问题。
[0004]其中，一部分测试设备厂商考虑到小信号BJT（双极结型晶体管Bipolar Junction Transistor，下文以BJT简称）的实际应用条件，使用引脚短路（SHORT）类漏电流测试项代替引脚开路（OPEN）类漏电流测试项进行生产测试，常见的是使用ICES（Leakage current of collector and emitter when base short to emitter）测试项程序代替ICEO参数（Leakage current of collector and emitter when base open）测试项程序。该方法有效地避免了ICEO参数测试所需时间长的问题，但ICES参数测试原理和ICEO参数测试原理不同，如图2所示，在一些特殊应用领域，如军工、航天、精密医疗设备，ICEO参数+ICES是要求必须测试的内容，不可以互相替换或减少。未经ICEO参数测试检验的BJT产品，其电性能和可靠性在一定程度无法得到保障。
[0005]另一部分测试设备厂商在测试系统内部将基极（Base）引线断开，这一做法符合ICEO参数测试的原理要求。但是，如图3所示，在BJT与测试系统之间会存在一段单端悬空的线缆。由于线缆存在电容、电感等寄生参数，如图4所示，同时空间中的单端线缆相当于天线，会不断吸收空间中电荷，导致BJT的基极存在未知的电荷。而BJT是电流控制型器件，尤其是β（BJT直流放大系数）较大的BJT，基极电荷变化对集电极、发射基导通程度有很大影响（IE=IB+IC=IB+β*IB）。因此，基极的单端线缆会导致测试ICEO参数时出现数值不稳定、精度差的现象。
[0006]因此现有的BJT ICEO参数测试方法，虽然在测试系统内部断开基极的引线，符合ICEO参数测试的原理，但是，由于空间电磁波对单端线缆上电荷量的影响、线缆本身寄生参数的影响，ICEO参数稳定测量需要相当长的时间，通常为N倍（N=1,2,3
……
）供电电源周期的时间（中国220V交流电单周期为20ms）。
技术实现思路
[0007]专利技术目的：为了克服现有技术中存在的不足，本专利技术提供一种双极结型晶体管
ICEO参数快速测试装置及方法，本专利技术不仅缩短了ICEO参数测试时间，而且提高了ICEO参数测试值的准确性和稳定性。
[0008]技术方案：为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种双极结型晶体管ICEO参数快速测试装置，包括测试设备、含开关二的电路板，所述测试设备包括三个资源通道，分别为资源通道一、资源通道二、资源通道三，其中，电路板的一侧连接测试设备的资源通道一，另一侧用于测试时与双极结型晶体管的基极引线连接。所述电路板上的开关二由测试设备提供控制信号CBIT。所述资源通道二用于测试时与双极结型晶体管的集电极连接，所述资源通道三用于测试时与双极结型晶体管的发射极连接。所述测试设备用于ICEO参数测试时，将ICEO参数测试项程序内部设置控制信号CBIT电平反转，使开关二断开并保持断开状态。双极结型晶体管的基极与测试设备不再连接，双极结型晶体管的集电极和发射极正常连接测试设备，测试设备执行ICEO参数测试动作。ICEO参数测试完成后，将ICEO参数测试项程序内部设置控制信号CBIT电平再次反转，使开关二闭合并保持闭合状态，双极结型晶体管的基极、集电极、发射极通过再次与测试设备连接，测试设备执行剩余其他项目。
[0009]优选的：所述电路板上的开关由测试设备经线缆提供控制信号CBIT。
[0010]优选的：所述双极结型晶体管的基极的引线长度为0.4 D～0.6D，D为测试站长度。
[0011]一种双极结型晶体管ICEO参数快速测测试方法，包括以下步骤：步骤1，将双极结型晶体管的基极引线与电路板连接，将双极结型晶体管的集电极与资源通道二连接，将双极结型晶体管的集电极与资源通道三连接。
[0012]步骤2，当进行ICEO参数测试时，测试设备将ICEO参数测试项程序内部设置控制信号CBIT电平反转，使开关二断开并保持断开状态。双极结型晶体管的基极与测试设备不再连接，双极结型晶体管的集电极和发射极正常连接测试设备，测试设备执行ICEO参数测试动作。
[0013]步骤3，ICEO参数测试完成后，测试设备将ICEO参数测试项程序内部设置控制信号CBIT电平再次反转，使开关二闭合并保持闭合状态，双极结型晶体管的基极、集电极、发射极通过再次与测试设备连接，测试设备执行剩余其他项目。
[0014]本专利技术相比现有技术，具有以下有益效果：1、大幅度缩短ICEO参数测试时间，提高了测试设备单位时间有效产出(hourly rate)，从而降低了测试成本；2、提高ICEO参数测试值的准确性和稳定性，提高分选能力，使测试分选后的产品质量有更好的保证。
附图说明
[0015]图1为国内某封测厂MMBT3904量产产品FT测试程序。
[0016]图2为ICEO参数和ICES参数测试原理简图。
[0017]图3为在测试设备内部断开BJT基极线缆示意图。
[0018]图4为遗留在BJT基极的线缆寄生参数等效模型。
[0019]图5为某国产品牌分选机测试站分布平面图，其中，M1为产品送料机构，M2为视觉装置，M3为极性测试装置，M4为旋转定位装置一，M5为测试装置一，M6为测试装置二，M7为测
试装置三，M8为测试装置四，M9为定位纠正装置，M10为副塔机构（打标、视觉），M11为旋转定位装置二，M12为3D视觉检测组件，M13为分料盒机构一（1分4），M14为分料盒机构二（1分4），M15为NC装置，M16为编带封装机构，M17为废品盒，M18为清料盒。
[0020]图6为分选机测试站长度示意图。
[0021]图7为近距离基极开路方案示意图。
[0022]图8为近距离基极开路测试和开关控制逻辑流程图。
[0023]图9为无近本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双极结型晶体管ICEO参数快速测试装置，其特征在于：包括测试设备、含开关二的电路板，所述测试设备包括三个资源通道，分别为资源通道一、资源通道二、资源通道三，其中，电路板的一侧连接测试设备的资源通道一，另一侧用于测试时与双极结型晶体管的基极引线连接；所述电路板上的开关二由测试设备提供控制信号CBIT；所述资源通道二用于测试时与双极结型晶体管的集电极连接，所述资源通道三用于测试时与双极结型晶体管的发射极连接；所述测试设备用于ICEO参数测试时，将ICEO参数测试项程序内部设置控制信号CBIT电平反转，使开关二断开并保持断开状态；双极结型晶体管的基极与测试设备不再连接，双极结型晶体管的集电极和发射极正常连接测试设备，测试设备执行ICEO参数测试动作；ICEO参数测试完成后，将ICEO参数测试项程序内部设置控制信号CBIT电平再次反转，使开关二闭合并保持闭合状态，双极结型晶体管的基极、集电极、发射极通过再次与测试设备连接，测试设备执行剩余其他项目。2.根据权利要求1所述双极结型晶体管ICEO参数快速测试装置，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢可心，包智杰，
申请(专利权)人：南京宏泰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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