低温升微散热流道磁芯制造技术

本发明专利技术公开了一种低温升微散热流道磁芯，包括底座、侧柱和中柱，在底座中部顶部对应中柱开设有不贯通的中柱槽，中柱槽为喇叭口槽，在中柱槽中部向下开设有贯通的连接柱孔，对应连接柱孔在中柱中部也开设有贯通的连接柱孔，在两连接柱孔内插设有匹配的连接柱，在底座上于两侧柱的内侧开设有与中柱槽连通并贯通底座的三通导热槽，在中柱槽底部开设有多个散热微槽，散热微槽一端与连接柱孔连通，且散热微槽的另一端延伸至三通导热槽的下方。本发明专利技术的低温升微散热流道磁芯，中柱可拆卸设置，可保证加工后的芯柱密度的均一性，方便进行绕线；中柱及底座设置微流道，在不影响磁芯绕线及磁通量的情况下，能够较好的散热。

【技术实现步骤摘要】
低温升微散热流道磁芯
本专利技术涉及磁芯
，尤其涉及一种低温升微散热流道磁芯。
技术介绍
磁芯是由各种氧化铁混合物组成的烧结磁性金属氧化物，现有技术中，铁氧体磁芯用于各种电子设备的线圈和变压器中。磁芯在使用中会产生大量的热量，因此散热能力是影响磁芯性能重要因素之一，传统的E型磁芯，较其他类型磁芯具有相对较好的散热空间，但是中柱的散热还是会被两侧柱影响。另外，由于中柱和边柱的表面积不同，造成压制成型过程中，中柱和边柱所受压强不同，即中柱和边柱的压实密度不同，在烧结过程中，易出现变形等情况，因此，只能减小中柱直径来改善这一情况，但会导致磁芯厚度增大。已有相关技术方案，在磁芯的底板上开设凹槽用于挤压成型时，单独对中柱施加压力，增大中柱的压强，能够改善中柱密度不足的情况。但是该方案没有对整体磁芯装配上进行优化，因此需要改进。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种低温升微散热流道磁芯，中柱可拆卸设置，便于单独加工中柱，可保证加工后的芯柱密度的均一性，同时方便进行绕线；中柱及底座设置微流道，在不影响磁芯绕线及磁通量的情况下，能够较好的散热。本专利技术的技术方案如下：一种低温升微散热流道磁芯，包括底座、固定在底座两侧的侧柱和固定在底座中部的中柱，在所述底座中部顶部对应中柱开设有不贯通的中柱槽，所述中柱槽为喇叭口槽，在所述中柱槽中部向下开设有贯通的连接柱孔，对应所述连接柱孔在中柱中部也开设有贯通的连接柱孔，在两所述连接柱孔内插设有高度和直径匹配的连接柱，在所述底座上于两所述侧柱的内侧开设有与所述中柱槽连通并贯通所述底座的三通导热槽，在所述中柱槽底部开设有多个散热微槽，所述散热微槽一端与所述连接柱孔连通，且散热微槽的另一端延伸至所述三通导热槽的下方。进一步的，所述喇叭口槽扩口的角度α不大于2°。进一步的，所述三通导热槽的槽面弧形过渡。进一步的，在所述连接柱的侧壁底部开设有卡接契槽，所述卡接契槽为由上至下内凹倾斜的凹槽，对应所述卡接契槽在底座的所述连接柱孔的侧壁底部一体成型有匹配的由下至上向外凸出的卡接契块。进一步的，所述卡接契槽的槽宽大于所述卡接契块的宽度。进一步的，所述卡接契槽的槽深略低于连接柱的侧壁，在所述卡接契槽上部于所述连接柱上开设有相连通并由下至上内凹的导热斜槽，所述导热斜槽槽深略低于连接柱表面，所述导热斜槽对应的延伸至所述散热微槽齐平。进一步的，在所述卡接契槽和导热斜槽间还设置有限位凸起用于抵设卡接契块，所述限位凸起深度低于连接柱的表面但高于所述卡接契槽的高度。进一步的，在所述连接柱顶部一体成型有限位块，在中柱顶部对应的开设有限位槽，此时连接柱孔设置在限位槽的槽底。进一步的，在所述中柱侧面下部对应所述三通导热槽开设有高度匹配的散热环槽，在所述散热环槽下部开设有相连通的由下至上内凹的中柱导热斜槽，所述中柱导热斜槽与所述散热微槽靠近三通导热槽的一端位置对应并可相连通形成微流道。本专利技术中的有益效果：通过底座上设置外扩的中柱槽，并在中柱槽上开设散热微槽，配合三通导热槽可方便的将中柱的热量导出，同时设置三通导热槽在不影响底座强度的同时，形成空气对流，也能够促进中柱上的热量导出；通过设置卡接契槽、导热斜槽，并与散热微槽连通，配合三通导热槽，能够对连磁芯中部中柱进行导热；通过在中柱上设置散热环槽，并设置中柱导热斜槽，可进一步增强了整体的导热性能；通过中柱与底座可拆卸设置，便于分开加工，可保证磁芯的密度，通过底座上设置中柱槽和连接柱孔，也方便压制时中部能够施加一定的压力，保证底座的强度，同理，通过在中柱中部开设连接柱孔便于压制成型时芯部也能够施加压力；通过在连接柱上设置卡接契槽，并在底座上的连接柱孔上设置卡接契块，能够保证连接柱固定的稳定性，同时，具有较好的整体性；通过设置限位块能够抵住所述中柱，因此对连接柱与连接柱孔的加工精度无需较高，也保证了对中柱的连接可靠性。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为本专利技术提出的低温升微散热流道磁芯的结构示意图；图2为图1中底座的剖视结构示意图；图3为图1中连接柱的改进方案的结构示意图；图4为图3中连接柱对应底座的结构示意图；图5为图2的连接柱的另一改进方案的结构示意图；图6为图5中B处的放大结构示意图；图7为图5中连接柱和中柱改进方案的结构示意图；图8为图7中A处的放大结构示意图。图中：1-底座；11-中柱槽；111-散热微槽；12-连接柱孔；121-卡接契块；13-三通导热槽；2-侧柱；3-中柱；31-连接柱孔；32-限位槽；33-散热环槽；34-中柱导热斜槽；4-连接柱；41-卡接契槽；42-限位凸起；43-导热斜槽；44-限位块。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。参照图1和图2，一种低温升微散热流道磁芯，包括底座1、固定在底座1两侧的侧柱2和固定在底座1中部的中柱3，在底座1中部顶部对应中柱3开设有不贯通的中柱槽11，中柱槽11为喇叭口槽，喇叭口槽扩口的角度α不大于2°，设置喇叭口槽，能够方便中柱3与中柱槽11存在散热间隙；在中柱槽11中部向下开设有贯通的连接柱孔12，对应连接柱孔12在中柱3中部也开设有贯通的连接柱孔31，在两连接柱孔内过盈插设有高度和直径匹配的连接柱4，在底座1上于两侧柱2的内侧开设有与中柱槽11连通并贯通底座1的三通导热槽13，三通导热槽13的槽面弧形过渡，在中柱槽11底部(等间距)的开设有多个散热微槽11(散热微槽11可为直线槽，也可为曲线槽)，散热微槽11一端与连接柱孔12连通，且散热微槽11的另一端延伸至三通导热槽13的下方。显然，连接柱4的高度与磁芯高度相同，且连接柱4与两连接柱孔具有一定的过盈值，能够卡接牢靠，同理，中柱3也与中柱槽11具有一定过盈值，保证连接的牢靠性；中柱与底座可拆卸设置，便于分开加工，可保证磁芯的密度；底座1上设置外扩的中柱槽11，并在中柱槽11上开设散热微槽111，配合三通导热槽13可方便的将中柱3的热量导出，同时设置三通导热槽13在不影响底座1强度的同时，形成空气对流，也能够促进中柱上的热量导出。参照图3和图4，为了保证连接柱4连接的可靠性，在连接柱4的侧壁底部开设有卡接契槽41，卡接契槽41为由上至下内凹倾斜的凹槽，对应卡接契槽41在底座1的连接柱孔12的侧壁底部一体成型有匹配的卡接契块121(卡接契本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温升微散热流道磁芯，包括底座、固定在底座两侧的侧柱和固定在底座中部的中柱，其特征在于：在所述底座中部顶部对应中柱开设有不贯通的中柱槽，所述中柱槽为喇叭口槽，在所述中柱槽中部向下开设有贯通的连接柱孔，对应所述连接柱孔在中柱中部也开设有贯通的连接柱孔，在两所述连接柱孔内插设有高度和直径匹配的连接柱，在所述底座上于两所述侧柱的内侧开设有与所述中柱槽连通并贯通所述底座的三通导热槽，在所述中柱槽底部开设有多个散热微槽，所述散热微槽一端与所述连接柱孔连通，且散热微槽的另一端延伸至所述三通导热槽的下方。/n

【技术特征摘要】
1.一种低温升微散热流道磁芯，包括底座、固定在底座两侧的侧柱和固定在底座中部的中柱，其特征在于：在所述底座中部顶部对应中柱开设有不贯通的中柱槽，所述中柱槽为喇叭口槽，在所述中柱槽中部向下开设有贯通的连接柱孔，对应所述连接柱孔在中柱中部也开设有贯通的连接柱孔，在两所述连接柱孔内插设有高度和直径匹配的连接柱，在所述底座上于两所述侧柱的内侧开设有与所述中柱槽连通并贯通所述底座的三通导热槽，在所述中柱槽底部开设有多个散热微槽，所述散热微槽一端与所述连接柱孔连通，且散热微槽的另一端延伸至所述三通导热槽的下方。


2.根据权利要求1所述的低温升微散热流道磁芯，其特征在于：所述喇叭口槽扩口的角度α不大于2°。


3.根据权利要求1或2所述的低温升微散热流道磁芯，其特征在于：所述三通导热槽的槽面弧形过渡。


4.根据权利要求1或2所述的低温升微散热流道磁芯，其特征在于：在所述连接柱的侧壁底部开设有卡接契槽，所述卡接契槽为由上至下内凹倾斜的凹槽，对应所述卡接契槽在底座的所述连接柱孔的侧壁底部一体成型有匹配的由下至上向外凸出的卡接契块。


5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓惠峰，吴振杰，张霞萍，汪朝强，许铭杰，严晓明，
申请(专利权)人：海宁市康明电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33