高压串联晶闸管阀单注入合成试验方法技术

本发明专利技术涉及一种高压串联晶闸管阀单注入合成试验方法。试验装置主要包括高电压与高电流变化率脉冲源及其调节回路，低压交直流大电流源及其调节回路，高低压回路隔离装置和试品阀几大部分。高电压与高电流变化率脉冲源及其调节回路用于为试品阀提供必要的正反高电压及其变化率、高电流变化率。低压交直流大电流源及其调节回路用于为试品阀提供必要的交直流电流。本方法对于双向晶闸管阀，分为大电流和高电压两个阶段。而对于单方向晶闸管阀，在每个工频周期内，由低压直流大电流源提供直流大电流，在换流阀换相结束瞬时，由高电压回路注入一个高电流变化率的电流脉冲，并调节高电压回路电压波形，使得试品阀承受适当的正反向高电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力系统及电力电子系统中的晶闸管阀的运行试验方法，特别是一种。
技术介绍
随着电力电子技术在电力系统中应用的逐步推广，基于晶闸管串联均压技术的高压阀成为各种大功率电力电子装置的核心部件，例如静止无功补偿器(SVC)、晶闸管控制串联电容器(TCSC)、高压直流输电(HVDC)等。而运行试验是关系到提高各种高压串联晶闸管阀设计和制造水平，提高其可靠性的重要试验手段。目前国际上普遍采用合成试验方法来进行晶闸管阀的运行试验，其基本思想是采用两套电源系统分别为晶闸管阀提供大电流和高电压强度，从而大大降低了电源容量，但在电压强度和电流强度的合成方法上存在较大差异。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，针对不同类型的高压串联晶闸管阀，采取不同的单注入合成试验方法。本专利技术解决其技术问题所采取的技术方案是高压串联晶闸管阀单注入试验装置主要包括高电压与高电流变化率脉冲源及其调节回路，低压交直流大电流源及其调节回路，高压回路隔离装置与低压回路隔离装置和试品阀几大部分；试品阀两端分别通过高压回路隔离装置和低压回路隔离装置，与高电压与高电流变化率脉冲源及其调节回路和低压交直流大电流源及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压串联晶闸管阀单注入合成试验装置，其特征在于：高压串联晶闸管阀单注入试验装置主要包括高电压与高电流变化率脉冲源及其调节回路，低压交直流大电流源及其调节回路，高压回路隔离装置与低压回路隔离装置和试品阀几大部分；试品阀两端分别通过高压回路隔离装置和低压回路隔离装置，与高电压与高电流变化率脉冲源及其调节回路和低压交直流大电流源及其调节回路连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汤广福，朱家骝，赵贺，
申请(专利权)人：中国电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]