【技术实现步骤摘要】
制造碳化硅器件的方法和在处置衬底中包括激光修改区带的晶片复合体
本公开的示例涉及一种制造碳化硅器件的方法，其中该方法包括对处置衬底进行激光辐照。进一步的示例涉及在处置衬底的分离区带中具有修改区带的晶片复合体。
技术介绍
半导体晶片的制备典型地包括通过竖向区带熔化或通过从填充有熔化的半导体材料的坩埚提拉籽晶晶体棒来形成晶锭。例如通过锯切对晶锭进行切片。其它处理通过在可重复使用的处置晶片的顶部上或靠近其顶部形成薄的释放层、在释放层上方外延生长半导体层、并且然后沿着释放层从处置晶片机械地分离外延生长的半导体层来获得外延的半导体晶片。存在针对以经济的方式提供用于碳化硅器件的衬底的改进的方法的需要。
技术实现思路
本公开的实施例涉及一种制造碳化硅器件的方法。该方法包括提供晶片复合体，该晶片复合体包括处置衬底、辅助层和碳化硅结构。辅助层形成在处置衬底的第一主表面上。碳化硅结构形成在辅助层上。处置衬底经受激光辐照。激光辐照在处置衬底中沿着焦平面修改晶体材料。焦平面平行于主表面。辅助层被适配为阻止激光辐照...
【技术保护点】
1.一种制造碳化硅器件的方法，所述方法包括：/n提供晶片复合体(900)，晶片复合体(900)包括处置衬底(100)、形成在处置衬底(100)的第一表面(101)上的辅助层(200)、和形成在辅助层(200)之上的碳化硅结构(320)；以及/n使处置衬底(100)经受激光辐照，其中激光辐照沿着处置衬底(100)中的焦平面(105)修改晶体材料，其中焦平面(105)平行于第一主表面(101)，/n其中，辅助层(200)被适配为阻止由激光辐照在处置衬底(100)中生成的微裂纹(156)的传播。/n
【技术特征摘要】
20190508 DE 102019111985.51.一种制造碳化硅器件的方法，所述方法包括：
提供晶片复合体(900)，晶片复合体(900)包括处置衬底(100)、形成在处置衬底(100)的第一表面(101)上的辅助层(200)、和形成在辅助层(200)之上的碳化硅结构(320)；以及
使处置衬底(100)经受激光辐照，其中激光辐照沿着处置衬底(100)中的焦平面(105)修改晶体材料，其中焦平面(105)平行于第一主表面(101)，
其中，辅助层(200)被适配为阻止由激光辐照在处置衬底(100)中生成的微裂纹(156)的传播。
2.如前述权利要求所述的方法，进一步包括：
沿着焦平面(105)分裂晶片复合体(900)。
3.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，
处置衬底(100)的从处置衬底(100)的第一表面(101)延伸到焦平面(105)的部分包括单晶碳化硅。
4.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，
激光辐照沿着平行的激光扫描线(151)形成修改区带(155)，其中邻近的激光扫描线(151)具有中心到中心距离(d1)，并且其中焦平面(105)与辅助层(200)之间的距离(d2)在从中心到中心距离(d1)的3.2%至7.25%的范围内。
5.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，
辅助层(200)包括至少一个受到压缩应力的层。
6.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，
辅助层(200)具有高于1800℃的熔点。
7.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，
辅助层(200)包括单晶碳化硅，并且其中辅助层(200)中的平均掺杂剂浓度高于处置衬底(100)的沿着第一主表面(101)的至少一个层部分中的平均掺杂剂浓度。
8.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中提供晶片复合体(900)包括：
在处置衬底(100)的主表面(101)和碳化硅施主衬底(300)的加工表面(301)中的至少一个上形成辅助层(200)；以及
连接处置衬底(100)和碳化硅施主衬底(300)，其中辅助层(200)被布置在处置衬底(100)和碳化硅施主衬底(300)之间。
9.如前述权利要求所述的方法，进一步包括：
在连接之后，将碳化硅施主衬底(300)的回收部分(321)与碳化硅施主衬底(300)的转移部分(322)分离...
【专利技术属性】
技术研发人员：R鲁普，M德拉吉西，TFW赫希鲍尔，W莱纳特，M皮辛，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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