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公开了制造碳化硅器件的方法和在处置衬底中包括激光修改区带的晶片复合体。晶片复合体(900)包括处置衬底(100)、形成在处置衬底(100)的第一主表面(101)上的辅助层(200)、以及形成在辅助层(200)之上的碳化硅结构(320)。使处...
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