一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法技术

本发明专利技术公开了一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，包括在所述SOI片的表面生长一层氧化层；对所述氧化层进行光刻和刻蚀，形成扩散阻挡层；对所述SOI片进行液态磷扩散掺杂；去除所述SOI片表面上的磷硅玻璃和扩散阻挡层；清洗SOI片表面，并在该SOI片表面淀积二氧化硅保护层；对SOI片表面进行推结工艺得到液态磷的扩散深度；去除SOI片表面的二氧化硅保护层；采用液态磷源POCl

【技术实现步骤摘要】
一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法
本专利技术涉及半导体制造掺杂方法
，特别是涉及一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法。
技术介绍
光子集成一般是在SOI片上进行器件的制作，其制作工艺需要在顶层硅上进行区域性的磷掺杂，并且要求具有较高掺杂浓度和掺杂深度。常规的大束流注入仅能满足较高的掺杂浓度，不能满足较高的掺杂深度；而高能注入又仅能满足较高的掺杂深度，不能满足较高的掺杂浓度；因此，实际工艺中常采用固态磷扩散的方法来进行工艺制作。常规的SOI片上的固态磷扩散掺杂结构示意图如图1所示。常规的磷扩散掺杂工艺制作流程为在SOI片上生长氧化层后进行扩散阻挡层制作。通过固态磷源对目标区域进行磷扩散掺杂，为获得高的掺杂浓度和扩散深度，磷扩散掺杂需要经过高温度和长时间，在扩散扩散掺杂区域会形成较厚的磷硅玻璃，厚度约240nm，完成磷扩散掺杂后去除磷硅玻璃和去除扩散阻挡层。常规的工艺制作流程，由于固态磷源片的成分主要为P2O5，其氧元素含量高使得形成的磷硅玻璃较厚，进而产生较大的应力，同时，由于SOI片顶层硅较薄，机械强度较小，较厚的磷硅玻璃会使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1：提供一SOI片，并对该SOI片的表面进行清洗，得到待处理的SOI片；/n步骤S2：在所述SOI片的表面生长一层氧化层；/n步骤S3：对所述氧化层进行光刻和刻蚀，形成扩散阻挡层；/n步骤S4：对所述SOI片进行液态磷扩散掺杂；/n步骤S5：去除所述SOI片表面上的磷硅玻璃和扩散阻挡层；/n步骤S6：清洗SOI片表面，并在该SOI片表面淀积二氧化硅保护层；/n步骤S7：对SOI片表面进行推结工艺得到液态磷的扩散深度；/n步骤S8：去除SOI片表面的二氧化硅保护层。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：提供一SOI片，并对该SOI片的表面进行清洗，得到待处理的SOI片；
步骤S2：在所述SOI片的表面生长一层氧化层；
步骤S3：对所述氧化层进行光刻和刻蚀，形成扩散阻挡层；
步骤S4：对所述SOI片进行液态磷扩散掺杂；
步骤S5：去除所述SOI片表面上的磷硅玻璃和扩散阻挡层；
步骤S6：清洗SOI片表面，并在该SOI片表面淀积二氧化硅保护层；
步骤S7：对SOI片表面进行推结工艺得到液态磷的扩散深度；
步骤S8：去除SOI片表面的二氧化硅保护层。


2.根据权利要求1所述的一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，其特征在于：所述待处理的SOI片的顶层硅厚度为0.5μm～4μm。


3.根据权利要求1所述的一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，其特征在于：在所述步骤S3中，扩散阻挡层的材料为SiO2，且该扩散阻挡层的厚度为200nm～400...

【专利技术属性】
技术研发人员：向华兵，张晓琴，李仁豪，黄建，吴雪飞，高建威，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;50