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本发明公开了一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，包括在所述SOI片的表面生长一层氧化层；对所述氧化层进行光刻和刻蚀，形成扩散阻挡层；对所述SOI片进行液态磷扩散掺杂；去除所述SOI片表面上的磷硅玻璃和扩散阻挡层；清洗SOI片表面，并在该SOI...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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