一种耐静电放电和低包封变化率的厚膜电阻浆料制造技术

本发明专利技术公开了一种厚膜电阻浆料和由该厚膜电阻浆料制备得到的厚膜电阻。本发明专利技术在厚膜电阻浆料中以浆料添加剂的形式加入适量的石墨炔或以玻璃粉添加剂的形式引入适量的石墨炔。由本发明专利技术的厚膜电阻浆料能够制备得到电阻温度变化稳定、耐静电放电和/或包封变化率小的厚膜电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种耐静电放电和低包封变化率的厚膜电阻浆料
本专利技术属于厚膜电阻浆料领域，具体涉及一种耐静电放电和低包封变化率的厚膜电阻浆料。
技术介绍
随着电子产品的广泛应用，轻小薄化成为主流发展趋势，对集成电路性能的要求越来越高，电阻作为重要功能性元器件，对整个电路的稳定运行起到决定性作用。目前的电阻浆料已经不能满足发展的要求，因此开发温度变化稳定、耐静电放电和包封变化率小的新品成为研究热点。厚膜电阻浆料由导电相、玻璃相、添加剂和有机载体组成。经高温烧结后，有机相挥发分解，最终留下的玻璃粉、导电相和添加剂决定产品最终性能。厚膜电阻浆料烧结后，部分导电相颗粒之间存在玻璃层，当静电放电发生时会击穿它们，造成阻值漂移。包封玻璃浆在烧结时，会渗入电阻里面导致阻值漂移，造成产品包封变化率不合格。
技术实现思路
为了解决厚膜电阻浆料存在的上述问题，本专利技术提供了一种厚膜电阻浆料，该厚膜电阻浆料包含适量的石墨炔或原料包括适量的石墨炔的玻璃粉，由该厚膜电阻浆料能够制备得到电阻温度变化稳定、耐静电放电和/或包封变化率小的厚膜电阻。具体而言，本专利技术提供一种厚膜电阻浆料，所述厚膜电阻浆料包括导电相、玻璃粉、石墨炔、添加剂和有机载体。在一个或多个实施方案中，所述石墨炔的粒径小于1μm。在一个或多个实施方案中，以所述厚膜电阻浆料总质量计，所述厚膜电阻浆料中，石墨炔的含量为0.1-1wt％、优选为0.2-0.5wt％。在一个或多个实施方案中，以所述厚膜电阻浆料总质量计，所述厚膜电阻浆料中，导电相的含量为15-20wt％，玻璃粉的含量为45-55wt％，添加剂的含量为0.5-10wt％，有机载体的含量为25-35wt％。在一个或多个实施方案中，所述玻璃粉的原料包括：PbO、SiO2、CaO和Al2O，和任选的选自石墨炔、B2O3、Na2O和/或K2O、和ZnO中的一种或多种或全部。在一个或多个实施方案中，所述玻璃粉原料中，PbO的含量为30-55wt％，SiO2的含量为20-40wt％，CaO的含量为10-25wt％，Al2O3的含量为2-10wt％。在一个或多个实施方案中，当含有时，以所述玻璃粉原料总质量计，所述玻璃粉原料中，石墨炔的含量为0.4-5wt％，B2O3的含量为5-10wt％，Na2O和K2O的总含量为0.2-1wt％，ZnO的含量为1-5wt％。在一个或多个实施方案中，所述玻璃粉包括玻璃粉I和玻璃粉II，其中，所述玻璃粉I的原料包括：PbO、SiO2、CaO、Al2O3、B2O3、Na2O和/或K2O、ZnO和任选的石墨炔，所述玻璃粉II的原料包括：PbO、SiO2、CaO、Al2O3和任选的石墨炔。在一个或多个实施方案中，以所述玻璃粉I原料总质量计，所述玻璃粉I原料中，PbO的含量为33-38wt％，SiO2的含量为27-32wt％，CaO的含量为18-22wt％，Al2O3的含量为3-6wt％，B2O3的含量为5-10wt％，Na2O和K2O的总含量为0.2-1wt％，ZnO的含量为1-5wt％；优选地，当含有时，以所述玻璃粉I原料总质量计，所述玻璃粉I原料中，石墨炔的含量为0.5-2wt％。在一个或多个实施方案中，以所述玻璃粉II原料总质量计，所述玻璃粉II原料中，PbO的含量为45-55wt％，SiO2的含量为25-35wt％，CaO的含量为14-20wt％，Al2O3的含量为3-6wt％；优选地，当含有时，以所述玻璃粉II原料总质量计，所述玻璃粉II原料中，石墨炔的含量为1-5wt％。在一个或多个实施方案中，所述厚膜电阻浆料中，所述玻璃粉I和玻璃粉II的质量比为1：1到3：1。在一个或多个实施方案中，所述导电相包括钌氧化物和钌酸盐；优选地，所述厚膜电阻浆料中，钌氧化物和钌酸盐的质量比为1：3到1：5；优选地，钌氧化物为RuO2；优选地，钌酸盐为Pb2Ru2O6。在一个或多个实施方案中，所述有机载体包括有机溶剂、增稠剂和任选的改性剂；优选地，以所述有机载体的总质量计，所述有机载体中，有机溶剂的含量为75-95wt％，增稠剂的含量为5-20wt％；优选地，当含有时，以所述有机载体的总质量计，所述有机载体中，改性剂的含量为0-2.5wt％；优选地，所述有机溶剂为松油醇；优选地，所述增稠剂包括纤维素和树脂。在一个或多个实施方案中，所述添加剂选自锰氧化物、铜氧化物、铌氧化物、锑氧化物和硅酸盐中的一种或多种；优选地，所述添加剂包括锰氧化物和硅酸盐；优选地，以所述厚膜电阻浆料总质量计，所述厚膜电阻浆料中，锰氧化物的含量为0.2-1wt％；优选地，以所述厚膜电阻浆料总质量计，所述厚膜电阻浆料中，硅酸盐的含量为2-8wt％；优选地，锰氧化物为MnO2；优选地，硅酸盐为ZrSiO4。本专利技术还提供另一种厚膜电阻浆料，所述厚膜电阻浆料包括导电相、玻璃粉、添加剂和有机载体，所述玻璃粉的原料包括：PbO、SiO2、CaO、Al2O3和石墨炔，和任选的选自B2O3、Na2O和/或K2O、和ZnO中的一种或多种。在一个或多个实施方案中，所述石墨炔的粒径小于1μm。在一个或多个实施方案中，以所述玻璃粉原料总质量计，所述玻璃粉原料中，石墨炔的含量为0.4-5wt％。在一个或多个实施方案中，以所述玻璃粉原料总质量计，所述玻璃粉原料中，PbO的含量为30-55wt％，SiO2的含量为20-40wt％，CaO的含量为10-25wt％，Al2O3的含量为2-10wt％。在一个或多个实施方案中，当含有时，以所述玻璃粉原料总质量计，所述玻璃粉原料中，B2O3的含量为5-10wt％，Na2O和K2O的总含量为0.2-1wt％，ZnO的含量为1-5wt％。在一个或多个实施方案中，以所述厚膜电阻浆料总质量计，所述厚膜电阻浆料中，导电相的含量为15-20wt％，玻璃粉的含量为45-55wt％，添加剂的含量为0.5-10wt％，有机载体的含量为25-35wt％。在一个或多个实施方案中，所述玻璃粉包括包括玻璃粉I和玻璃粉II，其中，所述玻璃粉I的原料包括：PbO、SiO2、CaO、Al2O3、B2O3、Na2O和/或K2O、ZnO和任选的石墨炔，所述玻璃粉II的原料包括：PbO、SiO2、CaO、Al2O3和任选的石墨炔。在一个或多个实施方案中，所述玻璃粉I和所述玻璃粉II中至少一种玻璃粉的原料包括石墨炔。在一个或多个实施方案中，所述玻璃粉I和所述玻璃粉II中有且仅有一种玻璃粉的原料包括石墨炔。在一个或多个实施方案中，所述玻璃粉I的原料包括石墨炔，所述玻璃粉II的原料不包括石墨炔。在一个或多个实施方案中，所述玻璃粉II的原料包括石墨炔，所述玻璃粉I的原料不包括石墨炔。在一个或多个实施方案中，以所述玻璃粉I原料总质量计，所述玻璃粉I原料中，PbO的含量为33-38wt％，SiO2的含量为27-32wt％，CaO的含量为18-22wt％，Al2O3的含量为3-6wt％，B2O3的含量为5-1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种厚膜电阻浆料，其特征在于，所述厚膜电阻浆料包括导电相、玻璃粉、石墨炔、添加剂和有机载体；/n优选地，所述石墨炔的粒径小于1μm；/n优选地，以所述厚膜电阻浆料总质量计，所述厚膜电阻浆料中，石墨炔的含量为0.1-1wt％、优选为0.2-0.5wt％。/n

【技术特征摘要】
1.一种厚膜电阻浆料，其特征在于，所述厚膜电阻浆料包括导电相、玻璃粉、石墨炔、添加剂和有机载体；
优选地，所述石墨炔的粒径小于1μm；
优选地，以所述厚膜电阻浆料总质量计，所述厚膜电阻浆料中，石墨炔的含量为0.1-1wt％、优选为0.2-0.5wt％。


2.一种厚膜电阻浆料，其特征在于，所述厚膜电阻浆料包括导电相、玻璃粉、添加剂和有机载体，所述玻璃粉的原料包括：PbO、SiO2、CaO、Al2O3和石墨炔，和任选的选自B2O3、Na2O和/或K2O、和ZnO中的一种或多种；
优选地，所述石墨炔的粒径小于1μm；
优选地，以所述玻璃粉原料总质量计，所述玻璃粉原料中，石墨炔的含量为0.4-5wt％；
优选地，以所述玻璃粉原料总质量计，所述玻璃粉原料中，PbO的含量为30-55wt％，SiO2的含量为20-40wt％，CaO的含量为10-25wt％，Al2O3的含量为2-10wt％；
优选地，当含有时，以所述玻璃粉原料总质量计，所述玻璃粉原料中，B2O3的含量为5-10wt％，Na2O和K2O的总含量为0.2-1wt％，ZnO的含量为1-5wt％。


3.如权利要求1或2所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，以所述厚膜电阻浆料总质量计，所述厚膜电阻浆料中，导电相的含量为15-20wt％，玻璃粉的含量为45-55wt％，添加剂的含量为0.5-10wt％，有机载体的含量为25-35wt％。


4.如权利要求1所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，所述玻璃粉的原料包括：PbO、SiO2、CaO和Al2O，和任选的选自石墨炔、B2O3、Na2O和/或K2O、和ZnO中的一种或多种或全部；
优选地，以所述玻璃粉原料总质量计，所述玻璃粉原料中，PbO的含量为30-55wt％，SiO2的含量为20-40wt％，CaO的含量为10-25wt％，Al2O3的含量为2-10wt％；
优选地，当含有时，以所述玻璃粉原料总质量计，所述玻璃粉原料中，石墨炔的含量为0.4-5wt％，B2O3的含量为5-10wt％，Na2O和K2O的总含量为0.2-1wt％，ZnO的含量为1-5wt％。


5.如权利要求1或2所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，所述玻璃粉包括玻璃粉I和玻璃粉II，其中，所述玻璃粉I的原料包括：PbO、SiO2、CaO、Al2O3、B2O3、Na2O和/或K2O、ZnO和任选的石墨炔，所述玻璃粉II的原料包括：PbO、SiO2、CaO、Al2O3和任选的石墨炔；
优选地，以所述玻璃粉I原料总质量计，所述玻璃粉I原料中，PbO的含量为33-38wt％，SiO2的含量为27-32wt％，CaO的含量为18-22wt％，Al2O3的含量为3-6wt％，B2O3的含量为5-10wt％，Na2O和K2O的总含量为0.2-1wt％，ZnO的含量为1-5wt％；优选地，当含有时，以所述玻璃粉I原料总质量计，所述玻璃粉I原料中，石墨炔的含量为0.5-2wt％；
优选地，以所述玻璃粉II原料总质量计，所述玻璃粉II原料中，PbO的含量为45-55wt％，SiO2的含量为25-35wt％，CaO的含量为14-20wt％，Al2O3的含量为3-6wt％；优选地，当含有时，以所述玻璃粉II原料总质量计，所述玻璃粉II原料中，石墨炔的含量为1-5wt％；
优选地，所述厚膜电阻浆料中，所述玻...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰金鹏，陆冬梅，鹿宁，王要东，周宝荣，王妮，赵科良，马倩，
申请(专利权)人：西安宏星电子浆料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61