【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种测量离子植入型半导体晶片的缺陷的方法，该方法包括以下步骤： ａ）加热晶片至处理温度，持续处理时间； ｂ）传送晶片，使得其表面基本上平行于头组件的表面光电压电极； ｃ）将至少一部分晶片暴露至具有一定波长和一定强度的光； ｄ）使用表面光电压电极检测在晶片表面响应于调制光强度而感应的光电压；以及 ｅ）由在晶片表面感应的光电压计算晶片的电学性能。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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