【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电极结构
本专利技术涉及电极结构。
技术介绍
例如，在临床检验用分析装置中，以医疗失误的减少及失误产生时的早期对应为目的，要求记录个体识别码和/或使用期间、使用状态等信息。而且，提出了搭载用于记录这些信息的存储卡等半导体器件的电极(参照专利文献1)。另一方面，要求分析装置的小型化，随之，要求搭载有半导体器件的小型的电极。作为使搭载有半导体器件的电极小型化的技术，提出了在注塑成型时对半导体器件进行嵌件模塑的方法。在嵌件模塑法中，将半导体器件和电极壳体无间隙地形成为一体，维持半导体器件的特性，同时使电极小型化。但是，在嵌件模塑法中，由于熔融树脂的压力而使存储卡等半导体器件有可能弯曲断裂。作为其对策，提出了通过用夹具等支承弯曲的一侧来抑制变形的方法(参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开WO2011/034170号公报。专利文献2：日本特开平11－87385号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题但是，在专利文...
【技术保护点】
1.一种对半导体器件进行树脂模塑而形成的电极的电极结构，其特征在于，具有：/n第一树脂模塑部，其形成于所述半导体器件的正面，具有第一厚度；/n第二树脂模塑部，其形成于所述半导体器件的背面，具有比所述第一厚度大的第二厚度；和/n露出部，其形成于所述第一树脂模塑部的与所述半导体器件的端部对应的部分。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180410 JP 2018-0750951.一种对半导体器件进行树脂模塑而形成的电极的电极结构，其特征在于，具有：
第一树脂模塑部，其形成于所述半导体器件的正面，具有第一厚度；
第二树脂模塑部，其形成于所述半导体器件的背面，具有比所述第一厚度大的第二厚度；和
露出部，其形成于所述第一树脂模塑部的与所述半导体器件的端部对应的部分。
2.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于：
所述半导体器件为扁平的半导体传感器或半导体存储器。
3.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于：
所述半导体器件的截面宽度与所述半导体器件的厚度之比为2以上。
4.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于：
所述第一树脂模塑部的所述第一厚度与所述第二树脂模塑部的所述第二厚度的厚度差为20％以上。
5.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于：
所述第一树脂模塑部的所述第一厚度和所述第二树脂模塑部的所述第二厚度分别是不均等的，平均厚度的差为20％以上。
6.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于：
从所述半导体器件的下部端面到所述露出部的下部端面的距离比所述半导体器件的厚度小。
7.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于：
在所述露出部还具有形成于所述半导体器件的所述端部的突起部。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：池田宇亨，小野哲义，中土裕树，三宅雅文，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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