一种多芯片集成封装方法及封装结构技术

本发明专利技术公开了一种多芯片集成封装方法，包括：将第一芯片的正面键合到第一载片上；进行第一塑封，将第一芯片包裹在第一塑封材料中，从而将所述第一芯片重构为晶圆；对重构晶圆的第一塑封材料进行减薄，露出第一芯片背面的导电通孔，减薄后的第一芯片背面所在的重构晶圆的表面为重构晶圆的背面，在重构晶圆的背面上形成第一导电互连结构；将重构晶圆的背面键合到第二载片上；拆除第一芯片正面的键合，第一芯片正面所在的重构晶圆的表面为重构晶圆的正面，在重构晶圆的正面上形成第二导电互连结构；将第二芯片附连到第二导电互连结构；进行第二塑封，将第二芯片包裹在第二塑封材料中；对第二塑封材料进行减薄；以及拆除重构晶圆背面的键合。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片集成封装方法及封装结构
本专利技术涉及半导体封装
，具体而言，本专利技术涉及一种用于小芯片(chiplet)的多芯片集成封装方法及封装结构。
技术介绍
由于后摩尔时代，先进技术节点开发门槛越来越高，越来越多公司开始向先进封装技术投入研发力量，希望在3D封装和高密度集成领域，实现性能的持续提升。近年来出现的Chiplet概念即是这种思想具体应用的体现。Chiplet即小芯片，将复杂功能进行分解，然后开发出多种具有单一特定功能，可相互进行模块化组装的“小芯片”，如实现数据存储、计算、信号处理、数据流管理等功能，并最终以此为基础，建立一个“小芯片”的芯片网络。小芯片根据应用的需要，选择适合的技术节点制作，实现性能和成本的最优化、芯片模块化制造。目前主流的2.5D集成技术是TSMC推出的CoWoS，其利用了自身前道工艺的资源，整合了封装技术开发的。其转接板利用了FEOL前道技术制作，成本高昂，限制了高性能计算以外的产品的使用。由于其转接板尺寸通常都超过30mm×28mm，面向的都是大尺寸封装，产品良率也较低。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多芯片集成封装方法，包括：/n将第一芯片的正面键合到第一载片上，所述第一芯片的正面具有焊盘，所述第一芯片还包括从正面焊盘下方向背面延伸的导电通孔，所述第一芯片包括多个处于不同技术节点、不同功能和/或不同尺寸的芯片；/n进行第一塑封，将第一芯片包裹在第一塑封材料中，从而将所述第一芯片重构为晶圆；/n对重构晶圆的第一塑封材料进行减薄，露出第一芯片背面的导电通孔，减薄后的第一芯片背面所在的重构晶圆的表面为重构晶圆的背面，在重构晶圆的背面上形成第一导电互连结构；/n将重构晶圆的背面键合到第二载片上；/n拆除第一芯片正面的键合，第一芯片正面所在的重构晶圆的表面为重构晶圆的正面，在重构晶圆的正面上...

【技术特征摘要】
1.一种多芯片集成封装方法，包括：
将第一芯片的正面键合到第一载片上，所述第一芯片的正面具有焊盘，所述第一芯片还包括从正面焊盘下方向背面延伸的导电通孔，所述第一芯片包括多个处于不同技术节点、不同功能和/或不同尺寸的芯片；
进行第一塑封，将第一芯片包裹在第一塑封材料中，从而将所述第一芯片重构为晶圆；
对重构晶圆的第一塑封材料进行减薄，露出第一芯片背面的导电通孔，减薄后的第一芯片背面所在的重构晶圆的表面为重构晶圆的背面，在重构晶圆的背面上形成第一导电互连结构；
将重构晶圆的背面键合到第二载片上；
拆除第一芯片正面的键合，第一芯片正面所在的重构晶圆的表面为重构晶圆的正面，在重构晶圆的正面上形成第二导电互连结构；
将第二芯片附连到第二导电互连结构；
进行第二塑封，将第二芯片包裹在第二塑封材料中；
对第二塑封材料进行减薄；以及
拆除重构晶圆背面的键合。


2.如权利要求1所述的多芯片集成封装方法，其特征在于，通过第一临时键合薄膜将第一芯片的正面键合到第一载片。


3.如权利要求1所述的多芯片集成封装方法，其特征在于，形成第一导电互连结构包括：
在重构晶圆的背面形成导电线路及导电线路之间的介质层，导电线路与导电通孔形成电和/或信号连接；以及
在导电线路上形成焊盘和/或焊球。


4.如权利要求1所述的多芯片集成封装方法，其特征在于，通过第二临时键合薄膜将重构晶圆的背面键合到第二载片上。


5.如权利要求1所述的多芯片集成封装方法，其特征在于，形成第二导电互连结构包括：
在重构晶圆的正面形成导电线路及导电线路之间的介质层，导电线路与第一芯片正面的焊盘电和/或信号连接；以及
在导电线路上形成焊盘和/或焊球。


6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐成，曹立强，孙鹏，
申请(专利权)人：上海先方半导体有限公司，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31