离子植入箔片组合件制造技术

公开一种包括多个箔层的箔衬垫。所述箔层可各自为堆叠在彼此顶部的导电材料。相邻箔层之间的间隔可生成热梯度，使得等离子体的温度比离子源室的温度热。在其他实施例中，可组装箔层以吸收来自等离子体的热量，使得等离子体比离子源室的温度冷。在一些实施例中，在一个或多个箔层上设置间隙或突起以影响热梯度。在某些实施例中，一个或多个箔层可由绝缘材料构成以进一步影响热梯度。箔衬垫可易于在离子源室内组装、安装及更换。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】离子植入箔片组合件
本专利技术的实施例涉及用作间接加热式阴极(indirectlyheatedcathode，IHC)离子源中的衬垫的箔片组合件。
技术介绍
间接加热式阴极(IHC)离子源通过将电流供应至设置于阴极后面的细丝来运作。所述细丝会发出朝阴极加速并对阴极进行加热的热离子电子(thermionicelectron)，此转而会使阴极向离子源室中发出电子。阴极设置于离子源室的一个端部处。在离子源室的与阴极相对的端部上通常设置有斥拒极(repeller)。可对斥拒极施加偏压以斥拒电子，从而将电子朝离子源室的中心向回引导。在一些实施例中，使用磁场来进一步将电子局限于离子源室内。电子会使得生成等离子体。接着，经由提取孔从离子源室提取离子。离子源室通常由具有良好的导电率及高熔点的导电材料制成。离子源室可保持处于某一电势(electricalpotential)下。另外，阴极及斥拒极设置在离子源室内，且通常保持在与离子源室不同的电势下。常常对离子源室进行加衬以延长离子源的寿命。举例来说，通常将钨衬垫安装在离子源室中。这些钨衬垫经受离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子源，包括：/n离子源室，用于生成等离子体；以及/n箔衬垫，包括设置在所述离子源室内的多个堆叠箔层，所述箔衬垫设置在所述离子源室的内表面与所述等离子体之间。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180330 US 15/941,1631.一种离子源，包括：
离子源室，用于生成等离子体；以及
箔衬垫，包括设置在所述离子源室内的多个堆叠箔层，所述箔衬垫设置在所述离子源室的内表面与所述等离子体之间。


2.根据权利要求1所述的离子源，其中所述箔衬垫为“U”形，以便接近所述离子源室的侧面及底部设置。


3.根据权利要求1所述的离子源，其中所述多个堆叠箔层各自包含钨箔。


4.根据权利要求1所述的离子源，其中所述箔衬垫包括第一箔层及第二箔层，其中所述第一箔层及所述第二箔层由不同的耐火金属制成。


5.根据权利要求1所述的离子源，其中所述多个堆叠箔层中的一者包括突起，以增加相邻箔层之间的间隔。


6.根据权利要求1所述的离子源，其中所述多个堆叠箔层中的一者包含绝缘材料。


7.一种箔衬垫，用于离子源室内，所述箔衬垫包括多个堆叠箔层。


8.根据权利要求7所述的箔衬垫，其中所述多个堆叠箔层中的一者包...

【专利技术属性】
技术研发人员：奎格·R·钱尼，亚当·M·麦劳克林，詹姆士·A·萨金特，约书亚·M·阿比沙斯，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国;US