基板处理设备制造技术

本发明专利技术涉及一种基板处理设备，该基板处理设备包括：支撑部，支撑部用于支撑基板；第一电极部，第一电极部设置在支撑部的上方；第二电极部，第二电极部设置在第一电极部的上方；产生孔，产生孔形成为延伸穿过第一电极部；以及突出电极，突出电极从第二电极部向下突出至与产生孔相对应的位置处的同时与第二电极部耦接，其中，突出电极形成为在竖直方向上具有比第一电极部短的长度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理设备
本专利技术涉及在基板上执行诸如沉积工序和蚀刻工序的处理工序的基板处理设备。
技术介绍
通常，应当在用于制造太阳能电池、半导体装置、平板显示装置等的基板上形成薄膜层、薄膜电路图案或光学图案。为此，执行处理工序，执行该处理工序的示例包括：在基板上沉积包括特定材料的薄膜的沉积工序；通过使用感光材料选择性地曝光一部分薄膜的光刻工序；去除薄膜的选择性暴露部分以形成图案的蚀刻工序等。图1是根据现有技术的基板处理设备的概念性侧视图。参照图1，根据现有技术的基板处理设备10包括支撑基板S的支撑部11和设置在支撑部11上的电极构件12。支撑部11接地。电极构件12连接到等离子体电源(未示出)。当向电极构件12供电时，在电极构件12与支撑部11之间产生等离子体P。因此，在根据现有技术的基板处理设备10中，在由支撑部11支撑的基板S与电极构件12之间产生等离子体P，因此，存在由等离子体P引起的基板S损坏的风险高的问题。
技术实现思路
技术问题本专利技术被设计用于解决上述问题，并且旨在提供一种用于降低由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理设备，包括：/n支撑部，所述支撑部支撑基板；/n第一电极单元，所述第一电极单元设置在所述支撑部上；/n第二电极单元，所述第二电极单元设置在所述第一电极单元上；/n产生孔，所述产生孔设置为穿过所述第一电极单元；以及/n突出电极，所述突出电极耦接到所述第二电极单元以从所述第二电极单元突出到与所述产生孔相对应的位置处的下部，/n其中，所述突出电极设置成具有相对于竖直方向比所述第一电极单元短的长度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180129 KR 10-2018-00108141.一种基板处理设备，包括：
支撑部，所述支撑部支撑基板；
第一电极单元，所述第一电极单元设置在所述支撑部上；
第二电极单元，所述第二电极单元设置在所述第一电极单元上；
产生孔，所述产生孔设置为穿过所述第一电极单元；以及
突出电极，所述突出电极耦接到所述第二电极单元以从所述第二电极单元突出到与所述产生孔相对应的位置处的下部，
其中，所述突出电极设置成具有相对于竖直方向比所述第一电极单元短的长度。


2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述突出电极突出如下的长度，所述长度等于或大于相对于所述竖直方向彼此间隔开的所述第一电极单元和所述第二电极单元之间的间隔。


3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，
所述第一电极单元设置成相对于所述竖直方向具有长度“L”，其中L是大于零的实数，并且
通过从所述突出电极的相对于所述竖直方向的总长度中减去所述第一电极单元和所述第二电极单元之间的相对于所述竖直方向的所述间隔而获得的长度等于0.7L或小于0.7L。


4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，
所述第一电极单元设置为相对于所述竖直方向具有长度“L”，其中L是大于零的实数，并且
从所述突出电极的相对于所述竖直方向的总长度中减去所述第一电极单元和所述第二电极单元之间的相对于所述竖直方向的间隔而获得的长度为0.5L。


5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，
所述突出电极包括设置在最下端以面对所述支撑部的相对表面，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴雄教，具泫淏，刘光洙，李相斗，曺圭正，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR