【技术实现步骤摘要】
一种离子源导磁阳极供气装置一体化结构
本专利技术属于离子源领域,尤其是涉及一种离子源导磁阳极供气装置一体化结构。
技术介绍
传统的电子束热蒸发沉积镀膜是利用加速电子轰击镀膜材料,使之加热蒸发,并沉积于基片上成膜,由于电子束加热能够获得极高的能量密度,因此该方法可以制备多种金属镀膜,且具有较高的纯度和精度,然而由该方法也有着易脱落、镀膜质量差等缺点。为了克服以上缺点,人们开始逐渐将等离子体技术与传统镀膜技术相结合,从而形成了离子束辅助沉积镀膜技术。在电子束对镀材热蒸发产生气相进行沉积镀膜的同时,离子源产生一定能量的离子束进行轰击混合,以达到镀膜改性,增强附着力的目的。同时,镀膜前离子源还可对基片进行轰击溅射清洗,去除基片表面氧化层或污染物来活化基片。为了加强离子源的电离,需要尽可能延长气体在供气装置中的停留时间,并同时提高出气的均匀性,即提高气体的均化程度。供气装置喷气方式依靠隔板上的小孔。理论上,在相同的气孔面积下,气孔直径越小,出气均匀性越高,但是气孔直径越小,则离子束回流越容易对气孔造成沉积堵塞,从而导致气体均化过程的恶化。传统有通道的离子源放电时由于等离子与壁面的相互作用会增大等离子体的碰撞损失,因此需要设计一种无通道放电机构的离子源,无通道放电需要将阳极前移至出口处,由此带来了磁场梯度下降,主要电离区随之外推至磁场负梯度处,这对于离子源的稳定放电是极其不利的,故需要对离子源磁场进行外推,常用解决措施就是添加磁屏。在传统的离子源中,供气装置通电用作阳极,磁屏与供气装置通过陶瓷通道和绝缘子进行绝缘 ...
【技术保护点】
1.一种离子源导磁阳极供气装置一体化结构,其特征在于:包括金属壳层(10)、均化隔板(4)、供气通道(9)、基座(6)和阳极(11),所述的阳极(11)设置在金属壳层(10)的上端,所述的基座(6)固定在金属壳层(10)的下端,且所述基座(6)通过内部的供气通道(9)与金属壳层(10)内部连通,所述的金属壳层(10)与阳极(11)相连通;所述的金属壳层(10)包括顶部壳层和底部壳层(5),所述的顶部壳层和底部壳层(5)同轴线布置,所述的均化隔板(4)固定在底部壳层(5)的上端,且底部壳层(5)与均化隔板(4)之间围成缓冲室(12),所述的顶部壳层固定在均化隔板(4)的上端,且顶部壳层与均化隔板(4)之间围成迂回通道(13),所述的均化隔板(4)上均匀开设有若干个均化孔(14),所述的顶部壳层上开设有通气缝隙(15);/n所述的阳极(11)包括同轴布置的导磁阳极内环(1)和导磁阳极外环(2),所述的导磁阳极内环(1)和导磁阳极外环(2)固定在顶部壳层的顶端,且通气缝隙(15)与导磁阳极内环(1)和导磁阳极外环(2)围成的通道连通。/n
【技术特征摘要】
1.一种离子源导磁阳极供气装置一体化结构,其特征在于:包括金属壳层(10)、均化隔板(4)、供气通道(9)、基座(6)和阳极(11),所述的阳极(11)设置在金属壳层(10)的上端,所述的基座(6)固定在金属壳层(10)的下端,且所述基座(6)通过内部的供气通道(9)与金属壳层(10)内部连通,所述的金属壳层(10)与阳极(11)相连通;所述的金属壳层(10)包括顶部壳层和底部壳层(5),所述的顶部壳层和底部壳层(5)同轴线布置,所述的均化隔板(4)固定在底部壳层(5)的上端,且底部壳层(5)与均化隔板(4)之间围成缓冲室(12),所述的顶部壳层固定在均化隔板(4)的上端,且顶部壳层与均化隔板(4)之间围成迂回通道(13),所述的均化隔板(4)上均匀开设有若干个均化孔(14),所述的顶部壳层上开设有通气缝隙(15);
所述的阳极(11)包括同轴布置的导磁阳极内环(1)和导磁阳极外环(2),所述的导磁阳极内环(1)和导磁阳极外环(2)固定在顶部壳层的顶端,且通气缝隙(15)与导磁阳极内环(1)和导磁阳极外环(2)围成的通道连通。
2.根据权利要求1所述的一种离子源导磁阳极供气装置一体化结构,其特征在于:所述基座(6)包括两个支撑柱,所述供气通道(9)开设在其中一个支撑柱的内部,且供气通道(6)与缓冲室(12)连通,另一个支撑柱为与电源连接的导电柱。
3.根据权利要求1所述的一种离子源导磁阳极供气装置一体化结构,其特征在于:所述顶部壳层包括顶部壳层外环(3)、顶部壳层上内环(8)和顶部壳层下内环(7),所述顶部壳层下内环(7)固定在均化隔板(4)的内边侧,所述顶部壳层外环(3)固定在均化隔板(4)的外边侧,所述的顶部壳层上内环(8)固定在部壳层下内环(7)的上端,顶部壳层外环(3)、顶部壳层上内环(8)和顶部壳层下内环(7...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁永杰,魏立秋,李鸿,唐井峰,于达仁,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,哈工大机器人岳阳军民融合研究院,
类型:发明
国别省市:黑龙江;23
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