一种离子束成型的离子导向件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种离子束成型的离子导向件,包括底板和压板，所述压板上设置有离子导向孔,所述压板滑动设置安装在底板上，压板由驱动装置驱动升降，所述底板的上端面上设置有下放置槽，压板下端面上与下放置槽相对的位置设置有上放置槽，所述离子导向孔设置在上放置槽的正上方并与上放置槽连通。本实用新型专利技术是一种结构简单，使用方便，有效提高加工效率的离子束成型的离子导向件。

An ion guide part formed by ion beam

【技术实现步骤摘要】
一种离子束成型的离子导向件
本技术涉及半导体制造
，具体为一种离子束成型的离子导向件。
技术介绍
目前制作半导体器件的方在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性这种方法需要在半导体上通过光刻胶来阻挡离子的注入，需要经过涂胶、烘胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等工序，耗时长、成本高。所以，亟需一种新型的离子束成型的离子导向件克服上述技术弊端。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种离子束成型的离子导向件，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种离子束成型的离子导向件,包括底板和压板，所述压板上设置有离子导向孔,所述压板滑动设置安装在底板上，压板由驱动装置驱动升降，所述底板的上端面上设置有下放置槽，压板下端面上与下放置槽相对的位置设置有上放置槽，所述离子导向孔设置在上放置槽的正上方并与上放置槽连通。优选的，所述下放置槽底部设置有若干定位柱，所述上放置槽的顶部设置有缓冲机构，所述缓冲机构包括缓冲板，所述缓冲板设置在定位柱的正上方，压板中设置有导杆孔，所述导杆孔的下方设置有下避空槽，导杆孔中滑动设置安装有导杆，所述缓冲板固定连接在导杆的下端，缓冲板滑动设置在下避空槽中，所述导杆上套设有弹簧，所述弹簧的两端分别抵触连接在下避空槽的顶部侧壁和缓冲板的上端面上。优选的，所述导杆孔的上方设置有上避空槽，所述导杆的上端固定连接有限位板，所述限位板滑动设置在上避空槽中。优选的，所述下放置槽和上放置槽的端口处设置有圆弧倒角。优选的，所述压板的左右两端设置有安装板，所述安装板上设置有导柱孔，所述底板左右两端固定连接有导柱，所述导柱与导柱孔滑动配合安装。优选的，所述驱动装置包括一对电动推杆，所述电动推杆固定安装在底板的左右两端，电动推杆的伸缩杆末端固定连接在安装板上。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术中，将半导体件放置在下放置槽中，驱动装置驱动压板下降将半导体件压紧，压紧过程中上放置槽卡在在半导体件的上半部分，然后离子注射机向半导体件上注入离子束，注射时压板对离子导向孔以为部分的离子束进行遮挡，使得半导体件上被注入离子的部分仅限于导向孔位置，注入完成后驱动装置驱动压板与底板分离。省去了涂胶、烘胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等工序。定位柱用于提高定位精度，缓冲板在弹簧的作用下可避免在压紧半导体件时压伤半导体件的表面。限位板用于限制导杆，避免其从导杆孔中脱离。圆弧倒角便于放置半导体件，以及在压板压紧半导体件时避免压伤半导体件边缘。本技术是一种结构简单，使用方便，有效提高加工效率的离子束成型的离子导向件。附图说明图1为一种离子束成型的离子导向件的结构示意图；图2为图1中K处的局部放大图。图中：1-限位板，2-底板，3-压板，4-安装板，5-导柱，6-驱动装置，7-电动推杆，8-半导体件，9-上放置槽，10-下放置槽，11-圆弧倒角，12-离子导向孔，13-定位柱，14-缓冲机构，15-导杆孔，16-导杆，17-下避空槽，18-缓冲板，19-弹簧，20-上避空槽。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1～2，本技术提供一种技术方案：一种离子束成型的离子导向件,包括底板2和压板3，所述压板3上设置有离子导向孔12,所述压板3滑动设置安装在底板2上，压板3由驱动装置6驱动升降，所述底板2的上端面上设置有下放置槽10，压板3下端面上与下放置槽10相对的位置设置有上放置槽9，所述离子导向孔12设置在上放置槽9的正上方并与上放置槽9连通。加工时，将半导体件8放置在下放置槽10中，驱动装置6驱动压板3下降将半导体件1压紧，压紧过程中上放置槽9卡在在半导体件8的上半部分，然后离子注射机向半导体件8上注入离子束，注射时压板3对离子导向孔12以为部分的离子束进行遮挡，使得半导体件8上被注入离子的部分仅限于导向孔12位置，注入完成后驱动装置6驱动压板3与底板2分离。省去了涂胶、烘胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等工序。可优选地，所述下放置槽10底部设置有若干定位柱13，所述上放置槽9的顶部设置有缓冲机构14，所述缓冲机构14包括缓冲板18，所述缓冲板18设置在定位柱13的正上方，压板3中设置有导杆孔15，所述导杆孔15的下方设置有下避空槽17，导杆孔15中滑动设置安装有导杆16，所述缓冲板18固定连接在导杆16的下端，缓冲板18滑动设置在下避空槽17中，所述导杆16上套设有弹簧19，所述弹簧19的两端分别抵触连接在下避空槽17的顶部侧壁和缓冲板18的上端面上。定位柱13用于提高定位精度，缓冲板18在弹簧19的作用下可避免在压紧半导体件8时压伤半导体件8的表面。可优选地，所述导杆孔15的上方设置有上避空槽20，所述导杆16的上端固定连接有限位板1，所述限位板1滑动设置在上避空槽20中。限位板1用于限制导杆16，避免其从导杆孔15中脱离。可优选地，所述下放置槽10和上放置槽9的端口处设置有圆弧倒角11。圆弧倒角11便于放置半导体件8，以及在压板3压紧半导体件8时避免压伤半导体件8边缘。可优选地，所述压板3的左右两端设置有安装板4，所述安装板4上设置有导柱孔，所述底板2左右两端固定连接有导柱5，所述导柱5与导柱孔滑动配合安装。导柱5与导柱孔滑动配合实现压板3的滑动安装。可优选地，所述驱动装置6包括一对电动推杆7，所述电动推杆7固定安装在底板2的左右两端，电动推杆7的伸缩杆末端固定连接在安装板4上。电动推杆7驱动压板3升降。本技术的工作原理是：加工时，将半导体件8放置在下放置槽10中，驱动装置6驱动压板3下降将半导体件1压紧，压紧过程中上放置槽9卡在在半导体件8的上半部分，然后离子注射机向半导体件8上注入离子束，注射时压板3对离子导向孔12以为部分的离子束进行遮挡，使得半导体件8上被注入离子的部分仅限于导向孔12位置，注入完成后驱动装置6驱动压板3与底板2分离。省去了涂胶、烘胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等工序。定位柱13用于提高定位精度，缓冲板18在弹簧19的作用下可避免在压紧半导体件8时压伤半导体件8的表面。限位板1用于限制导杆16，避免其从导杆孔15中脱离。圆弧倒角11便于放置半导体件8，以及在压板3压紧半导体件8时避免压伤半导体件8边缘。导柱5与导柱孔滑动配合实现压板3的滑动安装。电动推杆7驱动压板3升降。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子束成型的离子导向件,包括底板(2)和压板(3)，所述压板(3)上设置有离子导向孔(12),其特征在于：所述压板(3)滑动设置安装在底板(2)上，压板(3)由驱动装置(6)驱动升降，所述底板(2)的上端面上设置有下放置槽(10)，压板(3)下端面上与下放置槽(10)相对的位置设置有上放置槽(9)，所述离子导向孔(12)设置在上放置槽(9)的正上方并与上放置槽(9)连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种离子束成型的离子导向件,包括底板(2)和压板(3)，所述压板(3)上设置有离子导向孔(12),其特征在于：所述压板(3)滑动设置安装在底板(2)上，压板(3)由驱动装置(6)驱动升降，所述底板(2)的上端面上设置有下放置槽(10)，压板(3)下端面上与下放置槽(10)相对的位置设置有上放置槽(9)，所述离子导向孔(12)设置在上放置槽(9)的正上方并与上放置槽(9)连通。


2.根据权利要求1所述的一种离子束成型的离子导向件，其特征在于：所述下放置槽(10)底部设置有若干定位柱(13)，所述上放置槽(9)的顶部设置有缓冲机构(14)，所述缓冲机构(14)包括缓冲板(18)，所述缓冲板(18)设置在定位柱(13)的正上方，压板(3)中设置有导杆孔(15)，所述导杆孔(15)的下方设置有下避空槽(17)，导杆孔(15)中滑动设置安装有导杆(16)，所述缓冲板(18)固定连接在导杆(16)的下端，缓冲板(18)滑动设置在下避空槽(17)中，所述导杆(16)上套设有弹簧(19)，所述弹簧(19)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：易民开，杜印，邱远攀，贺帮志，
申请(专利权)人：昆山海利菲精密机械有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32