一种样品制备方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种样品制备方法及装置，对3D‑NAND存储器截面上的待检测层做出标记，待检测层位于3D‑NAND存储器衬底上，截面为垂直于衬底方向的表面；沿着截面的垂直方向且平行于衬底的方向提取样品，样品包括待检测层；根据标记对样品进行减薄，以获得样品中的待检测层。这样，在3D‑NAND存储器垂直于衬底方向的表面上对待检测层做出标记，而后沿着截面的垂直方向且平行于衬底的方向上提取样品，在提取样品的过程中仅需提取待检测层及待检测层周围的少量叠层。相比于从3D‑NAND存储器的表面提取样品，从截面获取样品，具有很小的体积和质量。而且提取的样品在进行减薄处理时，仅需去除待检测层周围的部分其他叠层，减少机台资源的浪费。

【技术实现步骤摘要】
一种样品制备方法及装置
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种样品制备方法及装置。
技术介绍
3DNAND存储器的存储和读取功能与堆叠层中沟道孔的形貌紧密相关，因此，常通过检测沟道孔来验证3DNAND存储器的存储和读取功能。现有检测沟道孔形貌的方法是，从3DNAND存储器的堆叠层表面提取样品，该样品包括待检测层，而后通过TEM(TransmissionElectronMicroscope，透射电子显微镜)扫描待检测层，从而获取待检测层中沟道孔的形貌，例如沟道孔的尺寸，沟道孔中存储功能层的厚度等。但是，随着堆叠层数的增多，在检测堆叠层底部的沟道孔的形貌时，需要从堆叠层表面提取深层样品，例如192层、256层，因此向下挖取的深度很大，不仅耗时较长，而且提取的样品体积和重量均很大，导致样品提取很困难。此外，由于提取的样品的体积很大，在对待检测层进行检测时，需要去除待检测层之外的大量堆叠层，浪费机台资源。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种样品制备方法及装置，减小提取的样品的质量和体积。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种样品制备方法，其特征在于，包括：/n对3D-NAND存储器截面上的待检测层做出标记，所述待检测层位于所述3D-NAND存储器的衬底上，所述截面为垂直于所述衬底方向的表面；/n沿所述截面的垂直方向且平行于所述衬底的方向提取样品，所述样品包括待检测层；/n根据所述标记对所述样品进行减薄，以获得所述样品中的待检测层。/n

【技术特征摘要】
1.一种样品制备方法，其特征在于，包括：
对3D-NAND存储器截面上的待检测层做出标记，所述待检测层位于所述3D-NAND存储器的衬底上，所述截面为垂直于所述衬底方向的表面；
沿所述截面的垂直方向且平行于所述衬底的方向提取样品，所述样品包括待检测层；
根据所述标记对所述样品进行减薄，以获得所述样品中的待检测层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述样品包括所述衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；
所述根据所述标记对所述样品进行减薄包括：
仅保留所述第二区域上方的所述待检测层以及所述第一区域。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述样品的一侧粘附附加衬底；
则，所述根据所述标记对所述样品进行减薄时，还包括：对粘附的所述附加衬底进行减薄。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述样品的一侧粘附附加衬底包括：
在所述样品靠近所述3D-NAND存储器的衬底的一侧粘附所述衬底。


5.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，还包括：
对所述样品中的待检测层进行检测，获得所述样品中的待检测层中沟道孔的形貌。


6.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述对3D-NAND存储器截面上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏思，张洋，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42