金属基材碳纳米膜材料制造设备及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种金属基材碳纳米膜材料制造设备包括真空反应炉、高频电源、供气装置以及抽真空装置，同时还公开基于上述设备的金属基材碳纳米膜制备方法，利用碳元素化学气相沉积法及碳元素磁控溅射法在金属基材表面生成一层具有SP

【技术实现步骤摘要】
金属基材碳纳米膜材料制造设备及其制备方法
本专利技术涉及在金属表面镀纳米级厚度的碳原子同素异形体复合物薄膜的技术，特别是涉及一种金属基材碳纳米膜材料制造设备及其制备方法。
技术介绍
碳纳米膜在生活各个方面得到了广泛的应用，例如面料、加热片等，利用了碳纳米膜的相关物理性能，但是现有的碳纳米膜的相关性能不能满足现有技术在在污水治理、水处理、大气治理、表面防腐、保健医疗等领域。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供了一种金属基材碳纳米膜材料制造设备及其制备方法，得到的金属基材碳纳米膜在光照和施加电场时对水分子有强催化作用，具有优良的导电、防腐、抑菌等特性，可以应用于污水治理、水处理、大气治理、表面防腐以及保健医疗等领域。为实现上述目的，本专利技术提供了一种金属基材碳纳米膜材料制造设备，包括真空反应炉、高频电源、供气装置以及抽真空装置，所述供气装置以及所述抽真空装置均与所述真空反应炉相连通，所述真空反应炉内设置有若干石墨电极和金属基材支架，金属基材支架底部设置于所述真空反应炉底部的滑道内，所述金属基材支架上平行设置有若干U型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属基材碳纳米膜材料制造设备，其特征在于：包括真空反应炉、高频电源、供气装置以及抽真空装置，所述供气装置以及所述抽真空装置均与所述真空反应炉相连通，所述真空反应炉内设置有若干石墨电极和金属基材支架，金属基材支架底部设置于所述真空反应炉底部的滑道内，所述金属基材支架上平行设置有若干U型托架，若干所述U型托架一侧与导电点相接触，若干导电点与基材导电线相连接，所述基材导电线与所述高频电源相连接，所述高频电源通过电极导电线通过导电固定柱与若干所述石墨电极相连接，若干所述石墨电极一端固定于所述导电固定柱上。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属基材碳纳米膜材料制造设备，其特征在于：包括真空反应炉、高频电源、供气装置以及抽真空装置，所述供气装置以及所述抽真空装置均与所述真空反应炉相连通，所述真空反应炉内设置有若干石墨电极和金属基材支架，金属基材支架底部设置于所述真空反应炉底部的滑道内，所述金属基材支架上平行设置有若干U型托架，若干所述U型托架一侧与导电点相接触，若干导电点与基材导电线相连接，所述基材导电线与所述高频电源相连接，所述高频电源通过电极导电线通过导电固定柱与若干所述石墨电极相连接，若干所述石墨电极一端固定于所述导电固定柱上。


2.根据权利要求1所述的一种金属基材碳纳米膜材料制造设备，其特征在于：所述供气装置包括若干气体罐，所述气体罐通过气阀与所述真空反应炉相连接，所述抽真空装置包括若干真空泵，所述真空泵通过真空阀与所述真空反应炉相连接。


3.根据权利要求1所述的一种金属基材碳纳米膜材料制造设备，其特征在于：所述高频电源通过隔离开关与所述基材导电线和所述电极导电线相连接。


4.根据权利要求1所述的一种金属基材碳纳米膜材料制造设备，其特征在于：所述U型托架与所述石墨电极交替设置，所述U...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚普，刘铁林，高硕，欧阳光友，田霆，王海涛，刘红涛，李来喜，赵建泽，繆建峰，黎明，孙福亭，
申请(专利权)人：河北美普兰地环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13