二维过渡金属硫族化合物及其制备方法和器件技术

本发明专利技术公开了一种二维过渡金属硫族化合物及其制备方法和器件，该制备方法包括以下步骤：取液态过渡金属源覆于衬底上；利用载气将液态硫族源输送至所述衬底处，所述硫族源为硫醇、硒醇或碲醇，在密闭环境内进行加热反应得到二维过渡金属硫族化合物。本发明专利技术利用液态的过渡金属源和液态的硫族源作为反应前驱体，容易通过控制反应前驱体的浓度来构建稳定的前驱体浓度场生长体系，从而促进了过渡金属硫族化合物的均匀成核和生长，使得制备得到的过渡金属硫族化合物材料的形貌、厚度、晶畴尺寸在衬底上的密度分布更加均匀，具有优异的光学、电学性质和广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
二维过渡金属硫族化合物及其制备方法和器件
本专利技术涉及二维材料
，尤其是涉及一种二维过渡金属硫族化合物及其制备方法和器件。
技术介绍
石墨烯等二维材料是近年来新兴的科学研究和重大产业研发的前沿方向。2004年石墨烯的发现引起了学术界和产业界的轰动，吸引了物理学、材料学、电子电工学、化学等领域专家学者和工程技术人员的广泛关注，并在其中发现了一系列新奇物理现象及广阔的应用前景。二维材料有着与传统三维体材料截然不同的特性，因而有可能迅速在能源储存与转化、电子与光电器件、催化、传感、热管理等领域获得应用。在众多二维材料中，二维过渡金属硫族化合物具有以下特征：(1)材料表面没有悬键，即使在原子级厚度下(<1nm)，也不会对电子器件中迁移的载流子造成大的散射，进而大大减弱了材料表面态对器件性能的不利影响；(2)二维材料具有平面结构，与当前硅基半导体工艺的器件制作流程兼容性好；(3)二维材料具有良好的机械性能，可满足柔性、可穿戴等需求；(4)二维过渡金属硫族化合物具有丰富的材料种类、可调的带隙(介于0.8～2.2eV)。因此，二维过渡金属硫族化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n取液态过渡金属源覆于衬底表面；/n利用载气将液态硫族源输送至所述衬底表面，所述液态硫族源为硫醇、硒醇或碲醇，进行加热反应得到二维过渡金属硫族化合物。/n

【技术特征摘要】
1.一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
取液态过渡金属源覆于衬底表面；
利用载气将液态硫族源输送至所述衬底表面，所述液态硫族源为硫醇、硒醇或碲醇，进行加热反应得到二维过渡金属硫族化合物。


2.根据权利要求1所述的二维过渡金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述硫醇包括丙硫醇、丁硫醇、十二硫醇的任一种；优选地，所述硒醇包括丙硒醇、丁硒醇中的任一种；优选地，所述碲醇包括甲碲醇、乙碲醇中的任一种。


3.根据权利要求1所述的二维过渡金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述液态过渡金属源中的过渡金属源选自钼源、钨源、钒源、铼源、钽源、铌源、钛源、铂源、钯源中的至少一种。


4.根据权利要求1至3任一项所述的二维过渡金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述加热反应的压强为0.05～1500Torr。


5.根据权利要求1至3任一项所述的二维过渡...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘碧录，冯思敏，成会明，谭隽阳，
申请(专利权)人：清华伯克利深圳学院筹备办公室，
类型：发明
国别省市：广东;44