【技术实现步骤摘要】
基于表面CVD生长石墨烯防止激光陀螺气体泄漏的方法
本专利技术涉及激光陀螺制造技术,惯性
,具体是指基于表面CVD生长石墨烯防止激光陀螺气体泄漏的方法。
技术介绍
激光陀螺的核心元件是环形激光器,由谐振腔和激光增益介质组成。谐振腔一般由三面或四面高质量、高反射率的精确定位反射镜与玻璃腔体构成。激光增益介质通常采用氦气和氖气。氦气和氖气以一定比例混合后按照一定气压充入激光陀螺腔体内,被密封在谐振腔内的管道和储气室中。激光陀螺的三面或四面反射镜中通常有1-2片用于腔长控制的镜片,也称为“腔平移镜”,为环槽状结构。高品质的镜片一般采用石英作为原材料,镜片的可变形(移动)部分厚度一般小于1mm。氦原子可以通过石英材料的晶格渗透泄露。作为激光陀螺内部不可缺少的工作气体,氦气的泄露大大影响了激光陀螺的寿命,尤其是体积较小的陀螺这一效应尤其明显。激光陀螺谐振腔本体一般为微晶玻璃或者玻璃制成,其反射镜片一般采用石英或者玻璃制成,以减小镜片的背向散射,从而获得较小的“锁区”以提升陀螺的性能。氦是自然界中原子半径较小的一种 ...
【技术保护点】
1.基于表面CVD生长石墨烯防止激光陀螺气体泄漏的方法,其特征在于,包括以下步骤:/nA.在腔长控制镜需要生长石墨烯的区域磁控溅射镀制若干纳米厚度的铜或者镍;/nB.CVD法生长石墨烯;/nC.利用真空护罩法检测使用该处理方法前后的氦泄漏率。/n
【技术特征摘要】
1.基于表面CVD生长石墨烯防止激光陀螺气体泄漏的方法,其特征在于,包括以下步骤:
A.在腔长控制镜需要生长石墨烯的区域磁控溅射镀制若干纳米厚度的铜或者镍;
B.CVD法生长石墨烯;
C.利用真空护罩法检测使用该处理方法前后的氦泄漏率。
2.根据权利要求1所述的基于表面CVD生长石墨烯防止激光陀螺气体泄漏的方法,其特征在于,所述步骤A在腔长控制镜需要生长石墨烯的区域磁控溅射镀制若干纳米厚度的铜或者镍,包括以下步骤:
(1)使用溶液,溶液组分为H2SO4:30%H2O2=7:3,浸泡腔长控制镜2-5h,然后依次在去离子水,乙醇和丙酮中进行超声波彻底清洗,去除表面上的任何有机和无机杂质;
(2)使用磁控溅射装置,在需要生长石墨烯的表面部分镀制若干纳米厚的铜或者镍。
3.根据权利要求1所述的基于表面CVD生长石墨烯防止激光陀螺气体泄漏的方法,其特征在于,所述步骤B腔长控制镜表面CVD法生长石墨烯包括以下步骤:
(...
【专利技术属性】
技术研发人员:王飞,卢广锋,王凡,
申请(专利权)人:湖南二零八先进科技有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南;43
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