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本发明公开了基于表面CVD生长石墨烯防止激光陀螺气体泄漏的方法，其特征在于，包括以下步骤：A.在腔长控制镜需要生长石墨烯的区域磁控溅射镀制若干纳米厚度的铜或者镍；B.CVD法生长石墨烯；C.利用真空护罩法检测使用该处理方法前后的氦泄漏率。本...
该专利属于湖南二零八先进科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南二零八先进科技有限公司授权不得商用。

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