一种硅基底薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供一种硅基底薄膜的制备方法，在硅基底上涂布光刻胶，在涂胶面预先开槽，控制槽的深度和宽度，并利用酸溶液进行平整化处理，待硅基底毛边处理干净之后去胶、清洗、烘干、镀膜，再用薄金刚石刀片，沿着预开槽的中心线将硅基底完全切开，获得完整的硅基底薄膜，边缘无破损。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基底薄膜的制备方法
本专利技术涉及固体结构超滑领域，尤其涉及在批量制备超滑器件过程中的制备小型硅基底薄膜的方法。
技术介绍
长期以来,摩擦和磨损问题,不但与制造业密切相关,还与能源、环境和健康直接相关。据统计,全世界约三分之一的能源在摩擦过程中被消耗掉,约80％的机器零部件失效都是由磨损造成的。结构超滑是解决摩擦磨损问题的理想方案之一，结构超滑是指两个原子级光滑且非公度接触的范德华固体表面(如石墨烯、二硫化钼等二维材料表面)之间摩擦、磨损几乎为零的现象。2004年，荷兰科学家J.Frenken的研究组通过实验设计，测量粘在探针上的一个几纳米大小(共约100个碳原子)的石墨片在高定向热解石墨(highlyorientedpyrolyticgraphite，HOPG)晶面滑动时的摩擦力，首次实验证实了纳米级超润滑的存在。2013年，郑泉水教授第一次在微米尺度发现HOPG(HighlyOrientedPyrolyticGraphite)片层材料之间的超滑现象，这标志着超滑从基础研究过渡到可应用化的技术研究过程。在制备超滑器件的过程中，往本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基底薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)清洗抛光硅基底，并在抛光面涂布光刻胶；/n(2)在硅基底的预涂胶面开槽；/n(3)将上述硅基底浸泡至酸溶液中进行平整化处理；/n(4)将硅基底碎渣、毛边处理干净之后去除光刻胶、清洗、烘干；/n(5)在烘干后的硅基底表面镀膜；/n(6)沿着预开槽的中心线将硅基底切开，获得硅基底薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅基底薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)清洗抛光硅基底，并在抛光面涂布光刻胶；
(2)在硅基底的预涂胶面开槽；
(3)将上述硅基底浸泡至酸溶液中进行平整化处理；
(4)将硅基底碎渣、毛边处理干净之后去除光刻胶、清洗、烘干；
(5)在烘干后的硅基底表面镀膜；
(6)沿着预开槽的中心线将硅基底切开，获得硅基底薄膜。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，沿着硅基底的晶向和晶向的垂直方向进行开槽，形成多个四边形块；优选的，上述四边形块边长尺寸为4-30mm。


3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述平整化处理的酸溶液包括氢氟酸、硝酸、醋酸，优选为三者的混合溶液。


4.根据权利要求1-3所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述平整化处理浸泡时间为3-30分钟，优选为5-15分钟，更优选为5分钟。


5.根据权利要求1-4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的清洗包...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑泉水，柏帆，
申请(专利权)人：深圳清华大学研究院，清华大学，
类型：发明
国别省市：广东;44