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本发明提供一种硅基底薄膜的制备方法，在硅基底上涂布光刻胶，在涂胶面预先开槽，控制槽的深度和宽度，并利用酸溶液进行平整化处理，待硅基底毛边处理干净之后去胶、清洗、烘干、镀膜，再用薄金刚石刀片，沿着预开槽的中心线将硅基底完全切开，获得完整的硅基...
该专利属于深圳清华大学研究院;清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳清华大学研究院;清华大学授权不得商用。

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