一种吸气薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于微型器件真空封装技术领域，涉及一种吸气薄膜及其制备方法。所述吸气薄膜为吸氢薄膜；所述吸气薄膜包括生长在基体1上的金属过渡层2以及生长在所述金属过渡层2上的吸气薄膜层3；所述金属过渡层2为Cr或Fe金属薄膜，所述吸气薄膜层3的化学组成为Ti

【技术实现步骤摘要】
一种吸气薄膜及其制备方法
本专利技术属于微型器件真空封装
，具体涉及一种具有低激活温度、优异的机械性能以及良好的抗温度冲击性的吸气薄膜及其制备方法。
技术介绍
近年来，随着微机电系统(MEMS,Micro-Electro-MechanicalSystem)技术的不断进步，MEMS传感器技术得到了飞速的发展，MEMS器件或系统在陀螺仪和加速度计等领域广泛使用，这些器件往往含有膜片及悬臂梁等机械运动部件，工作时会发生转动或以特定的频率振动，或吸收红外辐射而产生脉冲输出，因此为满足该类器件对Q值(电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比)的使用要求，器件内部必须保持高真空环境以维持较低的气体粘滞系数和较大的电子、离子平均自由程等。在低气压下实际空气阻尼与压强有关，其Q值随着真空度的提高而迅速增大，因此真空封装有利于提高振动式微机械结构的品质因子Q。真空封装通过密封腔体为MEMS器件或系统提供高气密真空环境，保护其内部敏感元件和电互联结构免受外界环境的干扰与破坏。由于在封装过程中会用到氢气，而且封装材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种吸气薄膜，其特征在于：所述吸气薄膜包括生长在基体(1)上的金属过渡层(2)以及生长在所述金属过渡层(2)上的吸气薄膜层(3)；所述金属过渡层(2)为Cr或Fe金属薄膜，所述吸气薄膜层(3)的化学组成为Ti

【技术特征摘要】
1.一种吸气薄膜，其特征在于：所述吸气薄膜包括生长在基体(1)上的金属过渡层(2)以及生长在所述金属过渡层(2)上的吸气薄膜层(3)；所述金属过渡层(2)为Cr或Fe金属薄膜，所述吸气薄膜层(3)的化学组成为TixFe，其中，x表示元素的原子百分比，1≤x≤2。


2.根据权利要求1所述的吸气薄膜，其特征在于：基体(1)为硅衬底或MEMS微器件封装盖内表面。


3.根据权利要求1所述的吸气薄膜，其特征在于：所述金属过渡膜层(2)的厚度为3nm～5nm，所述吸气薄膜层3的厚度为100nm～5μm。


4.根据权利要求3所述的吸气薄膜，其特征在于：所述吸气薄膜层(3)的厚度为0.5μm～3μm。


5.根据权利要求3所述的吸气薄膜，其特征在于：所述吸气薄膜层(3)的厚度为1μm～2μm。


6.根据权利要求1所述的吸气薄膜，其特征在于：1≤x≤1.5。


7.根据权利要求1所述的吸气薄膜，其特征在于：所述金属过渡层(2)和吸气薄膜层(3)通过磁控溅射工艺制备。


8.根据权利要求2所述的吸气薄膜，其特征在于：所述基体(1)为粗糙的硅片，得到的吸气薄膜层(3)为更粗糙的颗粒状表面，颗粒直径为10～40nm。


9.根据权利要求1所述的吸气薄膜，其特征在于：该吸气薄膜的激活温度280～300℃；在室温下吸氢，薄膜杨氏模量为110-150GPa，硬度为4-6GPa。


10.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵晨阳，杜兆富，祁焱，赵栋梁，安静，尚宏伟，
申请(专利权)人：钢铁研究总院，
类型：发明
国别省市：北京;11