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本发明属于微型器件真空封装技术领域，涉及一种吸气薄膜及其制备方法。所述吸气薄膜为吸氢薄膜；所述吸气薄膜包括生长在基体1上的金属过渡层2以及生长在所述金属过渡层2上的吸气薄膜层3；所述金属过渡层2为Cr或Fe金属薄膜，所述吸气薄膜层3的化学组...
该专利属于钢铁研究总院所有，仅供学习研究参考，未经过钢铁研究总院授权不得商用。

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