用于生成甚低频信号的信号发射元及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种用于生成甚低频信号的信号发射元及制作方法，涉及射频微电子机械系统领域和天线领域。该信号发射元包括：MEMS谐振器和辐射层，辐射层包括磁致伸缩薄膜或驻极体薄膜，辐射层设置在MEMS谐振器的谐振区的一侧，与谐振区紧密耦合，谐振区的另一侧通过锚点固定在衬底上，MEMS谐振器的谐振区的谐振频率工作在甚低频波段，用于使磁致伸缩薄膜发生磁化振荡，或使驻极体薄膜发生电荷振荡，生成甚低频信号。本发明专利技术可以通过MEMS工艺直接实现谐振器与辐射层的集成，无需另外的安装工艺，大大简化了工艺流程，解决了现有专利方案中VLF发射元结构单一、稳定性差和工艺实现难的问题，具有可批量制造、一致性好、尺寸小、后期易实现阵列化等优点。

Signal transmitter for generating VLF signal and its making method

【技术实现步骤摘要】
用于生成甚低频信号的信号发射元及制作方法
本专利技术涉及射频微电子机械系统领域和天线领域，尤其涉及用于生成甚低频信号的信号发射元及制作方法。
技术介绍
甚低频(VLF，Verylowfrequency)是指频带由3KHz到30KHz的无线电波。由于甚低频信号对于地下、水下等具有较大的穿透深度和较高的传输可靠性，并且具有难阻塞的特点，因此，VLF通信技术能够满足特定场景通信需求，已成为当今军事等通信技术研究的重点。然而，VLF通信技术面临一个巨大的挑战是由于VLF波段信号的波长为10-100km，即使采用电小天线作为发射元也有巨大的尺寸，导致难以在实际中应用，因此，实现高效率、便携式VLF发射元成为了各国军事通信领域追逐的方向。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种用于生成甚低频信号的信号发射元及制作方法，以及包含该信号发射元的甚低频发射器。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种用于生成甚低频信号的信号发射元，包括：MEMS谐振器和辐射层，所述辐射层包括：磁致本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于生成甚低频信号的信号发射元，其特征在于，包括：MEMS谐振器和辐射层，所述辐射层包括：磁致伸缩薄膜或驻极体薄膜，所述辐射层设置在所述MEMS谐振器的谐振区的一侧，所述辐射层与所述谐振区紧密耦合，所述MEMS谐振器的谐振区的另一侧通过锚点固定在衬底上，所述MEMS谐振器的谐振区的谐振频率工作在甚低频波段，用于使所述磁致伸缩薄膜发生磁化振荡，或使所述驻极体薄膜发生电荷振荡，生成甚低频信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于生成甚低频信号的信号发射元，其特征在于，包括：MEMS谐振器和辐射层，所述辐射层包括：磁致伸缩薄膜或驻极体薄膜，所述辐射层设置在所述MEMS谐振器的谐振区的一侧，所述辐射层与所述谐振区紧密耦合，所述MEMS谐振器的谐振区的另一侧通过锚点固定在衬底上，所述MEMS谐振器的谐振区的谐振频率工作在甚低频波段，用于使所述磁致伸缩薄膜发生磁化振荡，或使所述驻极体薄膜发生电荷振荡，生成甚低频信号。


2.根据权利要求1所述的用于生成甚低频信号的信号发射元，其特征在于，在所述衬底上设置有驱动电极，所述驱动电极位于所述衬底与所述谐振区之间，用于驱动所述MEMS谐振器。


3.根据权利要求1所述的用于生成甚低频信号的信号发射元，其特征在于，所述谐振区包括：双端固支梁，所述双端固支梁的一侧设置有所述辐射层，所述双端固支梁的另一侧的两端分别通过锚点固定在所述衬底上。


4.根据权利要求1所述的用于生成甚低频信号的信号发射元，其特征在于，所述谐振区包括：单端固支梁，所述单端固支梁的一侧设置有所述辐射层，所述单端固支梁的另一侧的一端通过锚点固定在所述衬底上。


5.根据权利要求1所述的用于生成甚低频信号的信号发射元，其特征在于，所述谐振区包括：多点固支膜片，所述多点固支膜片的一侧设置有所述辐射层，所述多点固支膜片的另一侧的多个端点分别通过锚点固定在所述衬底上。


6.根据权利要求1所述的用于生成甚低频...

【专利技术属性】
技术研发人员：李君儒，彭春瑞，高杨，陈锶，任万春，
申请(专利权)人：四川爆米微纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51