一种红外探测器结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种红外探测器结构及其制造方法，该结构包括从下到上依次层叠的带有处理电路的衬底、顶层金属层、通孔层和像元阵列，所述像元阵列中的每一个像元包括从上到下依次层叠的微桥谐振腔和铝反射层，所述铝反射层位于所述微桥谐振腔和通孔层之间，所述微桥谐振腔上表面为所述像元接收入射光的表面；其中，所述带有处理电路的衬底和顶层金属层为平面水平结构，所述微桥谐振腔上表面与所述带有处理电路的衬底和顶层金属层之间呈倾斜锐角设置。因此，本发明专利技术能够在缩减平面投影面积的情况下，将实际吸收入射光的面积保持不变甚至增大。

【技术实现步骤摘要】
一种红外探测器结构及其制造方法
本专利技术属于集成电路设计及制造领域，涉及一种红外探测器结构及其制造方法，尤其涉及一种红外探测器结构及其制造方法，用于提高红外探测器有效吸收面积。
技术介绍
微机电系统(MicroelectroMechanicalSystems，MEMS)传感器是采用微电子和微机械加工技术制造出来的新型传感器。与传统的传感器相比，它具有体积小、重量轻、成本低、功耗低、可靠性高、适于批量化生产、易于集成和实现智能化的特点。同时，在微米量级的特征尺寸使得它可以完成某些传统机械传感器所不能实现的功能。传统的红外探测器通常使用CMOS-MEMS器件和平面工艺制作微桥谐振腔结构，其微桥谐振腔构成的像元结构均为平面水平结构，并在该平面上接收入射光形成图像。随着半导体技术的发展，像元结构不断按比例缩小，虽然相同面积下能够大幅度提升像元阵列大小，但单个像元的面积减小会导致灵敏度和性能下降，从而造成一系列性能下降问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种红外探测器结构及其制造方法，实现上述目的，本专利技术的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外探测器结构，包括从下到上依次层叠的带有处理电路的衬底、顶层金属层和像元阵列，所述像元阵列中的每一个像元包括从上到下依次层叠的微桥谐振腔和铝反射层，所述铝反射层位于所述微桥谐振腔和顶层金属层之间，所述微桥谐振腔上表面为所述像元接收入射光的表面；其中，所述带有处理电路的衬底和顶层金属层为平面水平结构，其特征在于，所述微桥谐振腔上表面与所述带有处理电路的衬底和顶层金属层之间呈倾斜锐角设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种红外探测器结构，包括从下到上依次层叠的带有处理电路的衬底、顶层金属层和像元阵列，所述像元阵列中的每一个像元包括从上到下依次层叠的微桥谐振腔和铝反射层，所述铝反射层位于所述微桥谐振腔和顶层金属层之间，所述微桥谐振腔上表面为所述像元接收入射光的表面；其中，所述带有处理电路的衬底和顶层金属层为平面水平结构，其特征在于，所述微桥谐振腔上表面与所述带有处理电路的衬底和顶层金属层之间呈倾斜锐角设置。


2.根据权利要求1所述的红外探测器结构，其特征在于，所述像元阵列中的相邻两列或相邻两行的所述微桥谐振腔上表面呈V字型设置。


3.根据权利要求2所述的红外探测器结构，其特征在于，所述像元阵列中的相邻两列的所述微桥谐振腔上表面呈V字型设置，所述像元阵列中第一列的倾斜面呈外高里低设置；或者，所述像元阵列中的相邻两行的所述微桥谐振腔上表面呈V字型设置，所述像元阵列中第一行的倾斜面呈外高里低设置。


4.根据权利要求1所述的红外探测器结构，其特征在于，所述像元阵列中相邻两列的所述微桥谐振腔之间设有光屏蔽结构，或者，所述像元阵列中相邻两行的所述微桥谐振腔之间设有光屏蔽结构。


5.根据权利要求3所述的红外探测器结构，其特征在于，所述像元阵列中的相邻两列或相邻两行的所述铝反射层之间具有平行于所述顶层金属层的中间铝反射层；所述光屏蔽结构设置于相邻两列或相邻两行的所述微桥谐振腔上表面所构成的V字型底端之间，且位于所述中间铝反射层上，与所述中间铝反射层相接触。


6.根据权利要求1-5中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：康晓旭，钟晓兰，沈若曦，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31