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本发明提供一种红外探测器结构及其制造方法,该结构包括从下到上依次层叠的带有处理电路的衬底、顶层金属层、通孔层和像元阵列,所述像元阵列中的每一个像元包括从上到下依次层叠的微桥谐振腔和铝反射层,所述铝反射层位于所述微桥谐振腔和通孔层之间,所述微...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种红外探测器结构及其制造方法,该结构包括从下到上依次层叠的带有处理电路的衬底、顶层金属层、通孔层和像元阵列,所述像元阵列中的每一个像元包括从上到下依次层叠的微桥谐振腔和铝反射层,所述铝反射层位于所述微桥谐振腔和通孔层之间,所述微...