【技术实现步骤摘要】
具有优化几何结构以降低辐射效应引起的偏移的MEMS设备
本公开涉及MEMS设备。特别地，本公开涉及MEMS(微机电系统)惯性传感器(诸如加速度计或陀螺仪)。
技术介绍
如已知的，上述类型的MEMS设备的使用在愈加宽广的
中日益增多，这是由于它们能够供给准确的信号、它们的成本低、以及它们的通用性高。特别地，上述类型的惯性传感器在消费者应用以及在汽车领域中逐渐被使用，例如用于室内导航和作为自主驾驶的辅助，即，上述类型的惯性传感器逐渐被用在如下应用中：其中重要的是具有高的精度，并且当环境和/或内部参数变化时，也提供尽可能稳定的输出。特别地，在这些应用中，期望设备的输出信号在温度方面稳定，这既关于在集成该设备的整个裸片之上以均匀的方式操作的外部效应，又关于在裸片内以不同的方式操作的内部效应。考虑到外部效应，许多MEMS设备具有用于补偿由于外部温度引起的信号变化的布置。关于内部效应，如下文所讨论的，该问题直到最近才被认识和处理。通常，在上述类型的MEMS设备内的非均匀的温度分布具有各种理由。第一个理由与在复杂装置...
【技术保护点】
1.一种MEMS设备，包括：/n可移动质量块，所述可移动质量块具有在平面中的面积、以及在垂直于所述平面的方向上的厚度，所述可移动质量块绕平行于所述平面延伸的旋转轴是可倾斜的，并且从而形成被布置在所述旋转轴的相对侧的第一质量块部分和第二质量块部分，所述第一质量块部分和所述第二质量块部分分别具有第一形心和第二形心，所述第一形心和所述第二形心分别被布置在距所述旋转轴的第一距离b1和第二距离b2处；/n在所述第一质量块部分中的多个第一贯穿开口，其中所述多个第一贯穿开口和所述第一质量块部分具有在所述平面中的第一总周长p1；以及/n在所述第二质量块部分中的多个第二贯穿开口，其中所述多个...
【技术特征摘要】
20190108 IT 1020190000001901.一种MEMS设备，包括：
可移动质量块，所述可移动质量块具有在平面中的面积、以及在垂直于所述平面的方向上的厚度，所述可移动质量块绕平行于所述平面延伸的旋转轴是可倾斜的，并且从而形成被布置在所述旋转轴的相对侧的第一质量块部分和第二质量块部分，所述第一质量块部分和所述第二质量块部分分别具有第一形心和第二形心，所述第一形心和所述第二形心分别被布置在距所述旋转轴的第一距离b1和第二距离b2处；
在所述第一质量块部分中的多个第一贯穿开口，其中所述多个第一贯穿开口和所述第一质量块部分具有在所述平面中的第一总周长p1；以及
在所述第二质量块部分中的多个第二贯穿开口，其中所述多个第二贯穿开口和所述第二质量块部分具有在所述平面中的第二总周长p2，
其中所述第一总周长p1和所述第二总周长p2满足方程：
p1×b1＝p2×b2。
2.根据权利要求1所述的MEMS设备，其中所述MEMS设备是加速度计或陀螺仪中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的MEMS设备，其中所述可移动质量块形成Z轴加速度计的一部分。
4.根据权利要求1所述的MEMS设备，其中所述可移动质量块由单片半导体主体制成。
5.根据权利要求1所述的MEMS设备，其中所述可移动质量块具有均匀的厚度。
6.根据权利要求1所述的MEMS设备，其中所述多个第二贯穿开口的数量不同于所述多个第一贯穿开口的数量。
7.根据权利要求1所述的MEMS设备，其中所述多个第二贯穿开口的形状不同于所述多个第一贯穿开口的形状。
8.一种电子设备，包括：
MEMS设备，包括：
可移动质量块，所述可移动质量块具有在平面中的面积、以及在垂直于所述平面的方向上的厚度，所述可移动质量块绕平行于所述平面延伸的旋转轴是可倾斜的，并且从而形成被布置在所述旋转轴的相对侧的第一质量块部分和第二质量块部分，所述第一质量块部分和所述第二质量块部分分别具有第一形心和第二形心，所述第一形心和所述第二形心分别被布置在距所述旋转轴的第一距离b1和第二距离b2处；
在所述第一质量块部分中的多个第一贯穿开口，其中所述多个第一贯穿开口和所述第一质量块部分具有在所述平面中的第一总周长p1；以及
在所述第二质量块部分中的多个第二贯穿开口，其中所述多个第二贯穿开口和所述第二质量块部分具有在所述平面中的第二总周长p2，
其中所述第一总周长p1和所述第二总周长p2满足方程：p1×b1＝p2×b2；
专用集成电路，被耦合到所述MEMS设备；
处理单元，被耦合到所述专用集成电路；...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·里奇尼，A·托齐奥，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：意大利;IT
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