【技术实现步骤摘要】
半导体装置和成像装置本申请是申请日为2016年4月26日、专利技术名称为“半导体装置和成像装置”的申请号为201680027191.8专利申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体装置和成像装置。更具体地，本专利技术涉及通过接合两个半导体芯片而形成的半导体装置和成像装置。
技术介绍
迄今为止，已经使用了这样的半导体装置：多个半导体芯片被堆叠以形成三维构造，且因此实现小型化。例如，在成像装置中，光接收元件芯片和周边电路芯片基于各自的制造工艺而被单独制造。光接收元件芯片是具有这样构造的半导体芯片：其中，均包括有光接收元件的像素以二维阵列构造进行布置。周边电路芯片由驱动光接收元件芯片的周边电路形成。其后，使用这样的制造方法：将这些芯片接合在一起并且进行堆叠，从而构造出成像装置。在使用该制造方法的情况下，期望增强接合面处的接合强度以提高成像装置的可靠性。在芯片的接合面上，布置有与半导体芯片内的电路电连接的焊盘；且通过这些接合在一起的焊盘能够实现芯片之间的电信号的传输。焊盘用铜(Cu)等金属构成，且因此能够获得相对高的接合...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：/n第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一接合面，所述第一接合面包括/n第一绝缘层，/n多个第一焊盘，通过所述第一绝缘层而被绝缘的第一内层电路电连接至所述多个第一焊盘，和/n线状的第一金属层，所述第一金属层布置在所述多个第一焊盘的外部；和/n第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括接合至所述第一接合面的第二接合面，所述第二接合面包括/n第二绝缘层，/n多个第二焊盘，所述多个第二焊盘布置在与所述第一焊盘面对的位置处，且通过所述第二绝缘层而被绝缘的第二内层电路电连接至所述多个第二焊盘，和/n线状的第二金属层，所述第二金属层布置在与所述第一金属层面对...
【技术特征摘要】
20150518 JP 2015-1007421.一种半导体装置，其包括：
第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一接合面，所述第一接合面包括
第一绝缘层，
多个第一焊盘，通过所述第一绝缘层而被绝缘的第一内层电路电连接至所述多个第一焊盘，和
线状的第一金属层，所述第一金属层布置在所述多个第一焊盘的外部；和
第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括接合至所述第一接合面的第二接合面，所述第二接合面包括
第二绝缘层，
多个第二焊盘，所述多个第二焊盘布置在与所述第一焊盘面对的位置处，且通过所述第二绝缘层而被绝缘的第二内层电路电连接至所述多个第二焊盘，和
线状的第二金属层，所述第二金属层布置在与所述第一金属层面对的位置处，
其中，所述第一金属层和所述第二金属层的宽度是基于在如下区域中的所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的接合强度和所述第一金属层与所述第二金属层之间的接合强度的宽度，所述区域是从所述第一半导体芯片的端部至所述第一焊盘的区域。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述第一金属层和所述第二金属层的宽度是基于在所述区域中的所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的接合强度和所述第一金属层与所述第二金属层之间的接合强度的平均值的宽度。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中，所述第一金属层和所述第二金属层的宽度大体上等于满足下面关系式的宽度Q，
(x×P+y×Q)/R>z
其中，
z：所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的每单位面积的接合强度，
x：所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的每单位面积的接合强度，
y：所述第一金属层和所述第二金属层之间的每单位面积的接合强度，
P：在与所述第一半导体芯片的端部大体上垂直相交的路径上的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的接合部的长度，且
R：在所述路径上的所述第一焊盘与所述第一半导体芯片的端部之间的长度。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，
其中，所述路径是这样的路径：其与所述第一半导体芯片的端部大体上垂直相交，并且从所述第一半导体芯片的端部延伸且最先到达所述第一焊盘。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，
其中，所述路径是这样的路径中的具有最长距离的路径：与所述第一半导体芯片的端部大体上垂直相交，并且从所述第...
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