膜厚异常情况的检测方法技术

本申请公开了一种膜厚异常情况的检测方法，涉及半导体制造领域。该方法包括对晶圆表面进行亮场扫描，获取晶圆上die表面膜层的形貌信息，形貌信息包括明暗度差异值和粗糙度差异值；针对获取到形貌信息的各个die，检测die上各个膜点对应的形貌信息是否满足预定条件，预定条件为明暗度差异值小于第一预定值，且粗糙度差异值小于第二预定值；若检测到膜点对应的形貌信息满足预定条件，则确定膜点的膜厚无异常；若检测到膜点对应的形貌信息不满足预定条件，则确定膜点的膜厚发生异常；解决了目前检测膜厚时限制多，难以实时检测膜厚情况的问题；达到了在膜层制作完成后及时检测膜厚，实现膜厚异常的当站检测的效果。

【技术实现步骤摘要】
膜厚异常情况的检测方法
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种膜厚异常情况的检测方法。
技术介绍
在集成电路制造过程中，包含在晶圆表面生长不同膜层的步骤。薄膜可以通过淀积工艺、热生长等工艺形成。薄膜的质量关乎半导体器件的性能，薄膜异常会造成后期良率异常。目前，膜厚机台和缺陷检测机台无法对晶圆上某些特殊区域薄膜的膜厚进行量测，最终要到(chipprobe，芯片探针)测试时才能发现膜厚出现异常。而此时发现膜厚出现异常，已经无法进行有效的改善措施，容易出现大批量晶圆良率不合格的问题。
技术实现思路
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种膜厚异常情况的检测方法。该技术方案包括：一方面，本申请实施例提供了一种膜厚异常情况的检测方法，该方法包括：对晶圆表面进行亮场扫描，获取晶圆上die表面膜层的形貌信息，形貌信息包括明暗度差异值和粗糙度差异值；晶圆上分布有若干个die，每个die上的任意一个膜点对应一个坐标信息；针对获取到形貌信息的各个die，检测die上各个膜点对应的形貌信息是否满足预定条件，预定条件为明暗度差异值小于第一预定值，且粗糙度差异值小于第二预定值；若检测到膜点对应的形貌信息满足预定条件，则确定膜点的膜厚无异常；若检测到膜点对应的形貌信息不满足预定条件，则确定膜点的膜厚发生异常。可选的，对晶圆表面进行亮场扫描，获取晶圆上die表面膜层的形貌信息，包括：对晶圆表面进行若干次亮场扫描；分若干次获取die表面膜层的形貌信息，每次获取n个die上各个膜点的形貌信息；其中，任意两次被获取形貌信息的die对应的坐标信息不相同；n个die位于晶圆上的同一列或同一行，且任意相邻的两个die之间间隔m个die，n为大于等于3的整数，m为大于等于1的整数。可选的，n＝3，m＝1。可选的，针对获取到形貌信息的各个die，检测die上各个膜点对应的形貌信息是否满足预定条件，包括：根据获取到的形貌信息制作异常分析图，获取到形貌信息的每个膜点对应异常分析图中的一个点，异常分析图的纵坐标和横坐标为明暗度差异值和粗糙度差异值；在异常分析图中确定无异常区域和异常区域，无异常区域对应的明暗度差异值小于第一预定值，无异常区域对应的粗糙度差异值小于第二预定值；检测异常分析图中的各个点在异常分析图中的区域。可选的，该方法包括：若检测到点位于无异常区域，则确定点对应的膜点的膜厚无异常；若检测到点位于异常区域，则确定点对应的膜点的膜厚发生异常。可选的，每次亮场扫描的光照条件相同。可选的，该方法还包括：将不满足预定条件的形貌信息对应的膜点记为缺陷膜点，并获取缺陷膜点的坐标信息；根据缺陷膜点的坐标信息在晶圆图中标记缺陷膜点，晶圆图中包括若干个die图案，die图案与晶圆上的die一一对应。可选的，该方法还包括：统计缺陷膜点的密度；检测缺陷膜点的密度是否超出预定密度；若检测到缺陷膜点的密度超出预定密度，则确定晶圆不合格；若检测到缺陷膜点的密度未超出预定密度，则确定晶圆合格。本申请技术方案，至少包括如下优点：通过对晶圆表面进行亮场扫描，获取晶圆上die表面膜层的明暗度差异值和粗糙度差异值，针对获取到形貌信息的各个die，检测die上各个膜点对应的形貌信息是否满足预定条件，形貌信息满足预定条件的膜点的膜厚无异常，形貌信息不满足预定条件的膜点的膜厚发生异常；解决了常用机台在检测膜厚时限制较多，难以实时检测膜厚情况的问题；达到了在晶圆表面膜层制作完成后及时检测膜厚，实现膜厚异常的当站检测的效果。附图说明为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的一种膜厚异常情况的检测方法的流程图；图2是本申请实施例提供的一种晶圆表面die分布的示意图；图3是本申请另一实施例提供的一种膜厚异常情况的检测方法的流程图；图4是本申请实施例提供的膜厚异常情况的检测方法的实施示意图；图5是本申请实施例提供的一种异常分析图；图6是本申请实施例提供的一种标记后的晶圆图。具体实施方式下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。请参考图1，其示出了本申请实施例提供的一种膜厚异常情况的检测方法的流程图，该方法至少包括如下步骤：步骤101，对晶圆表面进行亮场扫描，获取晶圆上die表面膜层的形貌信息，形貌信息包括明暗度差异值和粗糙度差异值。如图2所示，晶圆21上分布有若干个die(晶粒)22，die22在晶圆上依次排列，每个die中包含一个芯片。一个die可以划分成若干个点，晶圆21上的每个die上的任意一个点对应一个坐标信息，一个die对应包括若干个坐标信息。每个晶圆上die的分布情况对应一张晶圆图，晶圆图上的die图案与晶圆上的die一一对应，晶圆图上的die图案也具有坐标信息，晶圆上die对应的坐标信息与晶圆图上die图案对应的坐标信息相同，也即晶圆上的各个点在晶圆图上有一一对应的位置。晶圆表面形成有薄膜，将晶圆表面膜层按die划分，每个die上有若干个膜点，每个die上的任意一个膜点对应一个坐标信息。可选的，利用自动光学扫描机台对晶圆表面进行亮场扫描，获取晶圆上die表面膜层的形貌信息。对于被获取形貌信息的die，每个die上的任意本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种膜厚异常情况的检测方法，其特征在于，所述方法包括：/n对晶圆表面进行亮场扫描，获取晶圆上die表面膜层的形貌信息，所述形貌信息包括明暗度差异值和粗糙度差异值；所述晶圆上分布有若干个die，每个die上的任意一个膜点对应一个坐标信息；/n针对获取到形貌信息的各个die，检测die上各个膜点对应的形貌信息是否满足预定条件，所述预定条件为明暗度差异值小于第一预定值，且粗糙度差异值小于第二预定值；/n若检测到膜点对应的形貌信息满足所述预定条件，则确定膜点的膜厚无异常；/n若检测到膜点对应的形貌信息不满足所述预定条件，则确定膜点的膜厚发生异常。/n

【技术特征摘要】
1.一种膜厚异常情况的检测方法，其特征在于，所述方法包括：
对晶圆表面进行亮场扫描，获取晶圆上die表面膜层的形貌信息，所述形貌信息包括明暗度差异值和粗糙度差异值；所述晶圆上分布有若干个die，每个die上的任意一个膜点对应一个坐标信息；
针对获取到形貌信息的各个die，检测die上各个膜点对应的形貌信息是否满足预定条件，所述预定条件为明暗度差异值小于第一预定值，且粗糙度差异值小于第二预定值；
若检测到膜点对应的形貌信息满足所述预定条件，则确定膜点的膜厚无异常；
若检测到膜点对应的形貌信息不满足所述预定条件，则确定膜点的膜厚发生异常。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对晶圆表面进行亮场扫描，获取晶圆上die表面膜层的形貌信息，包括：
对所述晶圆表面进行若干次亮场扫描；
分若干次获取die表面膜层的形貌信息，每次获取n个die上各个膜点的形貌信息；
其中，任意两次被获取形貌信息的die对应的坐标信息不相同；所述n个die位于晶圆上的同一列或同一行，且任意相邻的两个die之间间隔m个die，n为大于等于3的整数，m为大于等于1的整数。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，n＝3，m＝1。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对获取到形貌信息的各个die，检测die上各个膜点对应的形貌信息是否满足预定条件，包括：
根据获取到...

【专利技术属性】
技术研发人员：马强，米琳，宁威，李志国，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32