一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是该相变薄膜材料为钙、锑、碲三种元素组成的混合物，其化学结构式为Ca

【技术实现步骤摘要】
一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料及其制备方法
本专利技术涉及相变存储材料
，尤其是涉及一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料及其制备方法。
技术介绍
信息存储在人类历程中扮演着重要的角色。现如今的电子技术发展极大增加了数字数据量，据报道2020年低的全球数据规模将达44泽字节（约等于1万亿GB）。如此庞大数据群的存储、传输和处理会消耗大量资源，在未来将面临严峻挑战。另外，当下最流行的非易失性存储器闪存（Flash）和易失性动态随机存储器（DRAM）的擦写时间相差近5个数量级（~105ns和~10ns），这严重制约数据存储与传输效率，因此亟需一场存储器革命，研发存储快、密度高、稳定性好的非易失性存储器。相变存储器（PRAM）作为新一代非易失存储技术，与Flash技术比较，在存储速度，存储密度方面具有绝对优势，其存储速度约为30ns，存储密度高达200Gb/in.2，存储循环次数可达1012，而且还与现有的CMOS工艺兼容，技术实现难度和产业成本较低。除此之外，PRAM存储技术具有抗强震动、抗辐射性能，在航天航空领域具有极其重要本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料，其特征在于：该材料是由钙、锑、碲三种元素组成的化合物。/n

【技术特征摘要】
1.一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料，其特征在于：该材料是由钙、锑、碲三种元素组成的化合物。


2.根据权利要求1所述的一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料，其特征在于：所述的Ca-Sb2Te3薄膜材料的化学结构式为Cax(Sb2Te3)100-x，其中0<x≤17.6at%。


3.根据权利要求2所述的一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料，其特征在于：所述的Ca-Sb2Te3薄膜材料采用Sb2Te3合金靶和Ca单质靶共溅射形成。


4.根据权利要求2所述的一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料，其特征在于：所述的Ca-Sb2Te3薄膜材料的化学结构式为Ca13.6(Sb2Te3)86.4。


5.根据权利要求2所述的一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料，其特征在于：所述的Ca-Sb2Te3薄膜材料的化学结构式为Ca15.8(Sb2Te3)84.2。


6.根据权利要求2所述的一种Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料，其特征在于：所述的Ca-Sb2Te3薄膜材料的化学结构式为Ca17.6(Sb2Te3)82.4。


7.一种权利要求1-6中任一项所述的Ca掺杂碲化锑超稳相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于利用磁控溅射镀...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈益敏，毛缘恩，王国祥，侯亚飞，沈祥，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33