一种MEMS传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MEMS传感器，在封盖晶圆朝向传感器晶圆一侧表面设置有吸气剂；吸气剂位于封盖晶圆与传感器晶圆之间的空腔内，封盖晶圆设置有对应空腔的电极通孔，电极通孔内设置有激活电极，激活电极与吸气剂相接触，封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个电极通孔。在MEMS传感器外侧可以通过位于电极通孔内的激活电极向吸气剂供电，在电流流过吸气剂时会将电能转换为热能从而激活吸气剂，从而避免激活吸气剂时对传感器结构造成的影响。通过设置激活电极，可以多次激活吸气剂，以保证MEMS传感器内的真空度。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS传感器
本技术涉及MEMS器件
，特别是涉及一种MEMS传感器。
技术介绍
随着近年来科技不断的进步以及社会不断的发展，MEMS(微机电系统)得到了极大的发展，相应的作为MEMS传感器也得到了极大的发展，其已经广泛的应用于汽车、安防、生物医学、电力、智慧楼宇、森林防火、智能手机和物联网等领域。在现阶段，MEMS传感器制作时通常采用晶圆级封装技术，晶圆级封装(WaferLevelPackage，简称WLP)就是在硅片上依照类似半导体前段的工艺，通过薄膜、光刻、电镀、干湿法蚀刻等工艺来完成封装和测试，最后进行切割，制造出单个封装成品的一种先进的封装技术。与传统的金属封装或陶瓷封装相比，晶圆级封装可以大大减小封装后的器件尺寸，满足目前在移动设备中对小型化芯片的需求。同时无需使用金属或陶瓷管壳，能有效地降低器件的成本。晶圆级封装结构主要包括两个部分，即传感器晶圆和封盖晶圆，通过键合技术将读出传感器晶圆和封盖晶圆结合在一起，形成一个闭合空间或一个可透光的气密视窗，晶圆级封装除了能够保护传感器芯片免于受到空气、灰尘和湿气等本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS传感器，其特征在于，包括：/n相对设置的传感器晶圆和封盖晶圆；所述封盖晶圆键合于所述传感器晶圆表面，所述传感器晶圆与所述封盖晶圆之间形成有封闭的空腔；/n位于所述传感器晶圆朝向所述封盖晶圆一侧表面的传感器；所述传感器位于所述空腔内；/n位于所述封盖晶圆朝向所述传感器晶圆一侧表面的吸气剂；所述吸气剂位于所述空腔内，所述封盖晶圆设置有对应所述空腔的通孔，所述通孔内设置有激活电极，所述激活电极与所述吸气剂相接触，所述封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个所述通孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种MEMS传感器，其特征在于，包括：
相对设置的传感器晶圆和封盖晶圆；所述封盖晶圆键合于所述传感器晶圆表面，所述传感器晶圆与所述封盖晶圆之间形成有封闭的空腔；
位于所述传感器晶圆朝向所述封盖晶圆一侧表面的传感器；所述传感器位于所述空腔内；
位于所述封盖晶圆朝向所述传感器晶圆一侧表面的吸气剂；所述吸气剂位于所述空腔内，所述封盖晶圆设置有对应所述空腔的通孔，所述通孔内设置有激活电极，所述激活电极与所述吸气剂相接触，所述封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个所述通孔。


2.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，所述激活电极裸露于所述封盖晶圆背向所述传感器晶圆一侧表面，设置有与激活电极接触的接触电极。


3.根据权利要求2所述的MEMS传感器，其特征在于，所述激活电极为铜电极和/或钨电极。


4.根据权利要求3所述的MEMS传感器，其特征在于，所述接触电极为以下任意一项或任意组合：
TiNiAu电极、TiNiA...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙传彬，陈文礼，陈文祥，公衍刚，战毅，董国强，牟晓宇，于晓辉，
申请(专利权)人：烟台睿创微纳技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37