【技术实现步骤摘要】
折弯模座
本技术属于加工模具
，具体涉及折弯模座。
技术介绍
随着芯片传感器的发展，传感器可以检测从传感器侧向水平接近的被测体，也可以检测从传感器迎面垂直接近的被测体，具有体积小、重复定位精度高、防尘、防油、耐振等特点，广泛用于各种自动化生产线、机床机械设备、纺织、电力、交通、化工、军工、科研等领域，但就耐高温方面来说，商业级电感式接近传感器最高承受温度仅为70℃，工业级电感式接近传感器最高则为120℃，其主要受温度限制的原因为是半导体硅芯片结温仅125℃；漆包线、灌封绝缘材料芯片接线的热变形和芯片焊接点的耐温所限等多个方面的温度限制使得其在汽车涂装车向、烘房控制工程，静电喷涂工程等领域的应用受限。
技术实现思路
本技术公开的折弯模座结构简单，成型方便，极大地便利了传感器芯片连接线的快速高效成型，并且结构小巧，极大地方便了连接线的大规模生产和加工。本技术公开的折弯模座，包括座主体，座主体具有承接端，承接端包括下折弯区，下折弯区包括下过渡段Ⅰ、下凹陷段、下过渡段Ⅱ以及下凸出段，下凹陷段向承接端内成...
【技术保护点】
1.折弯模座，其特征在于，包括座主体，所述座主体具有承接端，所述承接端包括下折弯区，所述下折弯区包括下过渡段Ⅰ、下凹陷段、下过渡段Ⅱ以及下凸出段，所述下凹陷段向承接端内成凹陷状，所述下凸出段向承接端外成凸出状，所述下过渡段Ⅰ形成于下凹陷段一侧并在下凹陷段与承接端之间形成连接，所述下过渡段Ⅱ形成于下凹陷段另一侧并且连接于下凹陷段与下凸出段之间。/n
【技术特征摘要】
1.折弯模座，其特征在于，包括座主体，所述座主体具有承接端，所述承接端包括下折弯区，所述下折弯区包括下过渡段Ⅰ、下凹陷段、下过渡段Ⅱ以及下凸出段，所述下凹陷段向承接端内成凹陷状，所述下凸出段向承接端外成凸出状，所述下过渡段Ⅰ形成于下凹陷段一侧并在下凹陷段与承接端之间形成连接，所述下过渡段Ⅱ形成于下凹陷段另一侧并且连接于下凹陷段与下凸出段之间。
2.根据权利要求1所述的折弯模座，其特征在于，所述座主体其整体为柱状，所述承接端还具有垂直于下凸出段的延长方向的下隔离槽，所述下隔离槽至少设置有一个，并且将下过渡段Ⅰ、下凹陷段、下过渡段Ⅱ以及下凸出段分隔为若干部分。
3.根据权利要求1所述的折弯模座，其特征在于，所述下过渡段Ⅰ其形成于座主体在承接端的边沿以及下凹陷段之间。
4.根据权利要求3所述的折弯模座，其特征在于，所述下过渡段Ⅰ在座主体的边沿以及...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗俊彬，高艳荣，庞卓钦，
申请(专利权)人：苏州向心圆电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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