用于制备有机电子器件的组合物、有机电子器件及应用制造技术

本发明专利技术涉及一种用于制备有机电子器件的组合物，该组合物包含至少两种有机功能材料H1和H2，及至少一种有机溶剂，其中1)所述H1和H2形成I型的半导体异质结结构，2)S1(H2)‑T1(H2)≤0.3eV；其中S1(H2)，T1(H2)分别是H2的单线态能级和三线态能级；3)所述的组合物在25℃的粘度，在1cPs到100cPs范围，和/或所述组合物在25℃的表面张力，在19dyne/cm到50dyne/cm范围。本发明专利技术的组合物具有较好的印刷性能和成膜性能，便于通过溶液加工，特别是印刷工艺，实现高性能有机电子器件，特别是有机电致发光器件，提供了一种成本低、高效率的制造技术方案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制备有机电子器件的组合物、有机电子器件及应用本申请要求于2017年12月21日提交中国专利局、申请号为201711397209.6专利技术名称为“一种包含有TADF材料的组合物”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本专利技术涉及有机电子器件领域，尤其涉及一种用于制备有机电子器件的组合物。本专利技术还涉及一种按照本专利技术的组合物在有机电子器件中的应用，特别是有机电致发光二极管，及其在显示及照明技术中的应用。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)具有质轻、主动发光、视角广、对比度高、发光效率高、能耗低、易制备柔性和大尺寸面板等优异性能，被业界视为最有希望的下一代显示技术。为了提高有机发光二极管的发光效率，推进有机发光二极管大范围产业化进程，目前急需解决有机发光二极管的关键问题为发光性能和寿命。要获得高性能的有机发光二极管，主体材料是关键。目前的OLED发光器件，一般采用单主体材料搭配发光体制备，但单主体材料会引起载流子传输速率不同，引起器件效率在高亮度下滚降(Roll-off)严重，从而导致器件寿命缩短。用双主本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合物，包含至少两种有机功能材料H1和H2，及至少一种有机溶剂，其特征在于：1)所述H1和H2形成I型的半导体异质结结构，2)S1(H2)-T1(H2)≤0.3eV；其中S1(H2)，T1(H2)分别是H2的单线态能级和三线态能级；3)所述的组合物在25℃的粘度，在1cPs到100cPs范围，和/或所述组合物在25℃的表面张力，在19dyne/cm到50dyne/cm范围。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171221 CN 2017113972096一种组合物，包含至少两种有机功能材料H1和H2，及至少一种有机溶剂，其特征在于：1)所述H1和H2形成I型的半导体异质结结构，2)S1(H2)-T1(H2)≤0.3eV；其中S1(H2)，T1(H2)分别是H2的单线态能级和三线态能级；3)所述的组合物在25℃的粘度，在1cPs到100cPs范围，和/或所述组合物在25℃的表面张力，在19dyne/cm到50dyne/cm范围。


根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述H1和H2的分子量的差≥50g/mol或所述H1和H2的升华温度的差≥30K。


根据权利要求1-2任一项所述的组合物，其特征在于，所述的有机功能材料H1与有机功能材料H2在所述的有机溶剂中的溶解度均大于等于0.5wt％，且H1与H2在有机溶剂中的溶解度差小于等于0.2wt％。


根据权利要求1-3任一项所述的组合物，其特征在于，所述的有机功能材料H1与有机功能材料H2的分子量至少有一个大于等于800g/mol。


根据权利要求1-4任一项所述的组合物，其特征在于，所述的组合物中，有机功能材料H1与有机功能材料H2的摩尔比范围为1:9-9:1。


根据权利要求1-5任一项所述的一种组合物，其特征在于，所述的有机功能材料H1的能隙大于H2。


根据权利要求1-5任一项所述的组合物，其特征在于，所述的有机功能材料H1具有空穴传输特性或电子传输特性。


根据权利要求1-7任一项所述的组合物，其特征在于，所述的有机功能材料H1具有通式(I-1)或(I-2)所示的结构，



其中，
Z
4，Z
5，Z
6分别独立的选于N或CR
2；

Ar
1～Ar
3分别独立的选自以下基团：具有5至40个环原子的芳族或杂芳族环系，或是具有5至40个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或是具有5至40个环原子的非芳香族基团，或这些体系的组合，其中一个或多个基团可进一步被R
2取代，或R
2可以进一步与所取代的基团形成环系；

R
1、R
2在每一次出现时，分别独立的选自以下基团：H、D、具有1至20个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或者具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者是甲硅烷基基团，或具有1至20个C原子的取代的酮基基团，或具有2至20个C原子的烷氧基羰基基团，或具有7至20个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团，氨基甲酰基基团，卤甲酰基基团,甲酰基基团，异氰基基团，异氰酸酯基团，硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团，羟基基团，硝基基团，CF
3基团，Cl，Br，F，可交联的基团或者具有5至40个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至40个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合；

L
11为单键、取代或未取代的环原子数为5～30的芳香族烃基或芳香族杂环基，所述L
11的连接位置可以是苯环上任意一碳原子上；

X
1表示单键、N(R)、C(R
11R
12)、Si(R
11R
12)、O、C＝N(R)、C＝C(R
11R
12)、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO2；

X
2表示N(R)、C(R
11R
12)、Si(R
11R
12)、O、C＝N(R)、C＝C(R
11R
12)、P(R)、P(＝O)R、S、S＝O或SO2；

R、R
11、R
12分别独立表示D、取代或未取代的碳原子数...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘君友，谭甲辉，杨曦，
申请(专利权)人：广州华睿光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44