具有动态冗余功能的MRAM芯片制造技术

具有动态冗余功能的MRAM芯片，ECC纠错单元在正常读操作时接收主存储区中被读取数据，将查到的出错信息上报；当该正常读操作完成时，纠错控制器判断收到的错误数量是否超过设定值，为是时判断被读取数据地址是否在寄存器的出错地址中，为是时则将该出错地址对应的计数器加一，判断该计数器的计数值是否达到设定值，为是时则标明该出错地址对应的替换标识为永久替换标识，并在冗余存储区中寻找空闲地址作为替换地址，将经过ECC纠错的数据写入替换地址中；在被读取数据地址不在寄存器的出错地址中时，查找到一组空闲的寄存器，将被读取数据地址写入查到的寄存器中，并将该出错地址对应计数器的计数设为1、对应的替换标识标记为非替换。

【技术实现步骤摘要】
具有动态冗余功能的MRAM芯片
本专利技术涉及MRAM芯片
，特别是涉及一种具有动态冗余功能的MRAM芯片。
技术介绍
MRAM是一种新的内存和存储技术，可以像SRAM/DRAM一样快速随机读写，还可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据。它的经济性非常好，单位容量占用的硅片面积非常小，比SRAM有很大的优势；其制造工艺中需要的附加光罩数量较少，比嵌入式NORFlash的成本优势更大。它的性能也相当好，读写时延接近SRAM，功耗则比闪存低得多。而且MRAM不像DRAM以及Flash那样与标准CMOS半导体工艺不兼容。MRAM可以和逻辑电路集成到一个芯片中。MRAM的原理是基于一个叫做MTJ(磁性隧道结)的结构。它是由两层铁磁性材料夹着一层非常薄的非铁磁绝缘材料组成的。如图1：下面的一层铁磁材料是具有固定磁化方向的参考层，上面的铁磁材料是可变磁化方向的记忆层，它的磁化方向可以和固定磁化层相平行或反平行。由于量子物理的效应，电流可以穿过中间的隧道势垒层，但是MTJ的电阻和可变磁化层的磁化方向有关。前一种情况电阻低，后一种情况电阻高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有动态冗余功能的MRAM芯片，其特征在于，其包括主存储区、ECC纠错单元、冗余存储区和纠错控制器，所述纠错控制器内含有多组非易失的寄存器，每组寄存器包括出错地址、替换地址、替换标识和计数器；/n所述ECC纠错单元用于在MRAM芯片进行正常读操作时接收主存储区中被读取的数据，检查数据中比特错误信息并进行ECC纠错，并将查到的比特错误信息上报至纠错控制器；/n所述纠错控制器用于当该次正常读操作完成时，判断收到的比特错误信息中比特错误数量是否超过设定值，在为是时，判断被读取数据的地址是否在纠错控制器的寄存器的出错地址中，在为是时则将该出错地址对应的计数器实施加一操作，进一步判断该计数器的计...

【技术特征摘要】
1.一种具有动态冗余功能的MRAM芯片，其特征在于，其包括主存储区、ECC纠错单元、冗余存储区和纠错控制器，所述纠错控制器内含有多组非易失的寄存器，每组寄存器包括出错地址、替换地址、替换标识和计数器；
所述ECC纠错单元用于在MRAM芯片进行正常读操作时接收主存储区中被读取的数据，检查数据中比特错误信息并进行ECC纠错，并将查到的比特错误信息上报至纠错控制器；
所述纠错控制器用于当该次正常读操作完成时，判断收到的比特错误信息中比特错误数量是否超过设定值，在为是时，判断被读取数据的地址是否在纠错控制器的寄存器的出错地址中，在为是时则将该出错地址对应的计数器实施加一操作，进一步判断该计数器的计数值是否达到计数设定值，在为是时则标记该出错地址对应的替换标识为永久替换标识，并在冗余存储区中寻找一空闲地址作为替换地址，将经过ECC纠错的数据写入该替换地址中；在被读取数据的地址不在纠错控制器的寄存器的出错地址中时，在纠错控制器中查找到一组空闲的寄存器，将被读取数据的地址写入查找到的寄存器的出错地址中，并将被写入的出错地址对应的计数器的计数设为1、对应的替换标识...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，王春林，叶力，夏文斌，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31