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具有动态冗余功能的MRAM芯片，ECC纠错单元在正常读操作时接收主存储区中被读取数据，将查到的出错信息上报；当该正常读操作完成时，纠错控制器判断收到的错误数量是否超过设定值，为是时判断被读取数据地址是否在寄存器的出错地址中，为是时则将该出错...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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