一种氮氧化物传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氮氧化物传感器，在氮氧化物传感器本体（１）表面涂覆有薄膜（２），其薄膜的配方按重量比计是：三氧化钨∶二氧化硅＝（１００－９０）∶（０－１０）。本实用新型专利技术是一种对二氧化氮气体具有良好的响应性、选择性、检测灵敏度高，检测下限低，响应－恢复快，稳定性好，工作温度低的氮氧化物传感器，其制作工艺简便。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种气体传感器，特别是涉及一种氮氧化物传感器。
技术介绍
氮氧化物(NOx)是典型的大气污染物，可引起酸雨，光化学雾等。使用矿物燃料、汽车尾气等原因都会造成空气中的二氧化氮增加。空气中二氧化氮浓度过高会导致呼吸系统、肺损伤等疾病，对大气层中的臭氧层也有一定的破坏作用，严重危害人们身体健康。NO在空气中能自动氧化成NO2，因此，空气中的氮氧化物主要是指NO2，目前检测空气中NO2气体的主要方法是Saltzman法，此方法需要用专门的大型仪器，不适宜用于室外监测，较难推广使用。如何在大范围内对氮氧化物进行原位、实时监测的研究是环境保护中十分有意义的工作，近些年来发展的半导体气体传感器可望满足这种需要。自1962年T.Seiyama首次提出半导体氧化物具有气敏性以来，固态气体传感器的研究得到了较快的发展，目前已向微型化和集成化的方向发展，并用于研制微型传感器阵列。Shaver率先对WO3的气敏性进行了研究，指出用Pt活化的WO3对H2具有响应。进一步的研究表明，WO3是良好的NO2气敏材料。基于WO3材料的半导体NO2气体传感器已有不少文献报导。综观这些文献可得知，WO3的制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮氧化物传感器，包括氮氧化物传感器本体，其特征是：在所述的氮氧化物传感器本体（１）表面涂覆有一层薄膜（２）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：浣石，
申请(专利权)人：浣石，
类型：实用新型
国别省市：81[]