建模过程中的特征芯片选择方法以及器件模型建立方法技术

本发明专利技术涉及一种建模过程中的特征芯片选择方法以及器件模型建立方法，所述特征芯片的选择方法包括：提供一建模测量用测试晶圆，所述测试晶圆上形成有多个芯片，每个芯片内形成有若干具有不同特征尺寸的至少一种器件；选择所述测试晶圆上若干芯片作为测试芯片，获得与多个具有特定特征尺寸的待测器件对应的多个测量值；选择所述多个测量值中数值位于中间位置或最接近平均值的测量值作为中间测量值；以所述中间测量值对应的待测器件所在的芯片作为具有该特定特征尺寸的待测器件的特征芯片。上述特征芯片的选择方法能够提高建模的准确性。

【技术实现步骤摘要】
建模过程中的特征芯片选择方法以及器件模型建立方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种建模过程中的特征芯片选择方法。
技术介绍
在芯片设计过程中，需要依靠SPICE模型仿真结构来判断内存设计好坏。然而，随着内存的面积缩小，组件变化越来越多元化，精度要求也越来越高。为了设计高质量有竞争性的产品，需要SPICE模型提高建模仿真的精准度。通过对每种器件进行各向参数的测量，建立器件模型。SPICE模型库中每种器件都有多个不同的关键尺寸，例如多种具有不同沟道宽度的晶体管。用于建模测量的晶圆上，每个裸芯片(DIE)上都会形成有具有各种特征特征尺寸的待测器件。对于其中一种器件的测量方法，通常是选择晶圆上的一个裸芯片作为该器件所有关键尺寸的特征芯片。但是由于器件形成工艺的不均匀性，同一裸芯片上不同尺寸的器件并不能准确代表每一尺寸器件的电性特征，导致通过同一裸芯片上的器件建立的各特征尺寸的器件模型准确性较低。如何提高器件模型的准确性，是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提高器件模本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种建模过程中的特征芯片选择方法，其特征在于，包括：/n提供一建模测量用测试晶圆，所述测试晶圆上形成有多个芯片，每个芯片内形成有若干具有不同特征尺寸的至少一种器件；/n选择所述测试晶圆上若干芯片作为测试芯片，获得与多个具有特定特征尺寸的待测器件对应的多个测量值；/n选择所述多个测量值中数值位于中间位置或最接近平均值的测量值作为中间测量值；/n以所述中间测量值对应的待测器件所在的芯片作为具有该特定特征尺寸的待测器件的特征芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种建模过程中的特征芯片选择方法，其特征在于，包括：
提供一建模测量用测试晶圆，所述测试晶圆上形成有多个芯片，每个芯片内形成有若干具有不同特征尺寸的至少一种器件；
选择所述测试晶圆上若干芯片作为测试芯片，获得与多个具有特定特征尺寸的待测器件对应的多个测量值；
选择所述多个测量值中数值位于中间位置或最接近平均值的测量值作为中间测量值；
以所述中间测量值对应的待测器件所在的芯片作为具有该特定特征尺寸的待测器件的特征芯片。


2.根据权利要求1所述的特征芯片选择方法，其特征在于，所述测试芯片的数量占测试晶圆上芯片总数的1/3～2/3。


3.根据权利要求1所述的特征芯片选择方法，其特征在于，所有的所述测试芯片均匀分布于所述测试晶圆上。


4.根据权利要求1所述的特征芯片选择方法，其特征在于，所述测试芯片围绕所述测试晶圆的圆心均匀分布。


5.根据权利要求1所述的特征芯片选择方法，其特征在于，获得所述多个测量值的方法包括：对各个测试芯片上具有特定特征尺寸的待测器件进行测量，获取所述多个测量值。


6.根据权利要求1所述的特征芯片选择方法，其特征在于，获得所述多个测量...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱仕兵，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34