一种增强密集图形光刻分辨率的方法技术

本发明专利技术提供了一种增强密集图形光刻分辨率的方法，包括执行胶图案化工艺，从而形成第一掩模图案；执行胶层处理工艺；再次执行胶图案化工艺，从而形成第二掩模图案，第二掩模图案中的图形与第一掩模图案中的图形间隔设置；其中，胶图案化工艺包括：在衬底上依次形成第一胶层和第二胶层；通过光刻曝光工艺在第一胶层上形成曝光区和非曝光区；采用第一溶剂去除曝光区和第二胶层的部分区域，或者先采用第二溶剂去除曝光区，再采用第三溶剂去除第二胶层的部分区域，从而在第一胶层形成第一图案，在第二胶层形成第二图案，第二图案是在第一图案基础上缩进后的图案；采用第四溶剂去除非曝光区；胶层处理工艺用于使第一胶层耐第一溶剂或第三溶剂溶解。

【技术实现步骤摘要】
一种增强密集图形光刻分辨率的方法
本专利技术涉及微电子光刻工艺
，尤其涉及一种增强密集图形光刻分辨率的方法。
技术介绍
在集成电路制造过程中光刻工艺是将光刻掩模上的图形精确复制到衬底(单晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化镓、砷化镓、氧化铝、碳化硅、磷化铟或金属衬底等)表面的光刻胶上。然后在光刻胶的保护作用下，经过刻蚀、离子注入或薄膜沉积等工艺过程，实现衬底表面选择性的图形化、离子掺杂或生长薄膜等功能。一直以来，半导体工业中光刻技术都在追求更高的分辨率以便可以达到更小的电子器件尺寸，从而获得更优异的产品性能。如以下公式(1)所示，Rayleigh方程给出了光刻分辨率(R)与波长(λ)和数值孔径(NA)之间的关系：式中k1是光刻过程中的工艺参数，与光刻胶材料及光刻工艺过程有关，一般为0.3-0.8；λ为曝光光源的波长；NA为镜头的数值孔径；n为光源与光刻胶之间介质的折射率(通常是空气)；θ为镜头的半角孔径。根据公式(1)可知，想要得到更小的图形尺寸，可以通过减小k1值、降低曝光波长或者增加数值孔径等方法。在工业中，最本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增强密集图形光刻分辨率的方法，其特征在于，包括：/n执行胶图案化工艺，从而形成第一掩模图案；/n执行胶层处理工艺；/n再次执行所述胶图案化工艺，从而形成第二掩模图案，所述第二掩模图案中的图形与所述第一掩模图案中的图形间隔设置；/n其中，/n所述胶图案化工艺包括：/n在衬底上依次形成第一胶层和第二胶层；/n通过光刻曝光工艺在所述第一胶层上形成曝光区和非曝光区；/n采用第一溶剂去除所述曝光区和所述第二胶层的部分区域，或者先采用第二溶剂去除所述曝光区，再采用第三溶剂去除所述第二胶层的部分区域，从而在所述第一胶层形成第一图案，在所述第二胶层形成第二图案，所述第二图案是在所述第一图案基础上缩进后...

【技术特征摘要】
1.一种增强密集图形光刻分辨率的方法，其特征在于，包括：
执行胶图案化工艺，从而形成第一掩模图案；
执行胶层处理工艺；
再次执行所述胶图案化工艺，从而形成第二掩模图案，所述第二掩模图案中的图形与所述第一掩模图案中的图形间隔设置；
其中，
所述胶图案化工艺包括：
在衬底上依次形成第一胶层和第二胶层；
通过光刻曝光工艺在所述第一胶层上形成曝光区和非曝光区；
采用第一溶剂去除所述曝光区和所述第二胶层的部分区域，或者先采用第二溶剂去除所述曝光区，再采用第三溶剂去除所述第二胶层的部分区域，从而在所述第一胶层形成第一图案，在所述第二胶层形成第二图案，所述第二图案是在所述第一图案基础上缩进后的图案；
采用第四溶剂去除所述非曝光区；
所述胶层处理工艺用于使所述第一胶层耐所述第一溶剂或所述第三溶剂溶解。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，两次胶图案化工艺分别使用不同的掩模版。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一胶层采用可显影胶，所述可显影胶适于在碱性显影液中溶解，并且耐有机显影液和光刻胶溶剂溶解；所述可显影胶可通过烘烤温度和时间改变其在碱性显影液中的溶解速率；所述第二胶层采用光刻胶；所述第一溶剂和所述第三溶剂采用碱性显影液；所述第二溶剂采用适于...

【专利技术属性】
技术研发人员：许箭，秦龙，耿文练，花雷，
申请(专利权)人：儒芯微电子材料上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31