半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法，包括以下步骤：S100、制备低阻单晶样品；S200、对低阻单晶样品的背面进行高浓度掺杂得到掺杂样品；S300、在掺杂样品的正面刻蚀沟槽；S400、对开槽的样品进行钝化，在样品的正面、背面和沟槽内形成介质层；S500、刻蚀样品背面的介质层，制备背面电极并形成欧姆接触；S600、刻蚀样品正面的介质层形成刻蚀区，制备正面电极并形成肖特基接触，制得测试样品；S700、对测试样品进行辐射诱导位移缺陷表征。本发明专利技术的检测方法通过制备出合适的半导体材料测试样品，有利于达到高效、高灵敏度位移缺陷检测与判定的目的，实现了半导体材料和器件中的辐射诱导位移缺陷快速、高效、准确检测。

【技术实现步骤摘要】
半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法
本专利技术涉及半导体材料
，具体而言，涉及一种半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法。
技术介绍
辐射环境中不同能量的质子、电子、重离子、中子及光子会在半导体材料和器件内部诱导大量的位移缺陷。位移缺陷是指经入射粒子辐射后造成的靶材内原子脱离正常晶格位置，产生间隙原子和空位的损伤。除了这些单独的缺陷之外，空位和空位之间，间隙原子和空位之间以及间隙原子和间隙原子之间都可能会产生更多种类复杂的位移复合缺陷。不同类型的入射粒子在半导体材料和器件的输运过程中会产生大量的间隙原子，最终形成稳定的位移缺陷，位移缺陷在材料和电子元器件中属于永久性伤害。位移缺陷主要分为两类：空位型缺陷和间隙原子型缺陷。在对位移缺陷的研究过程中，最先被发现的是单独的空位缺陷，单独的空位缺陷在硅的能带中有5种电荷状态，分别为V++、V+、V0、V-、V--。而后研究发现，在室温条件下空位不断移动，或被间隙原子氧、置换原子磷/硼等俘获形成复合缺陷，也就是VO缺陷(A心)、VP缺陷(E心)或空位对。空位对是常见的位移辐射缺陷，它主要由两本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS100、制备厚度为t

【技术特征摘要】
1.一种半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
S100、制备厚度为t1的低阻单晶样品；
S200、对所述低阻单晶样品的背面进行高浓度掺杂得到掺杂样品，所述掺杂样品的厚度为t2；
S300、在所述掺杂样品的正面刻蚀沟槽，所述沟槽环绕的区域为沟槽区，所述沟槽的宽度为W1，所述沟槽区的宽度为W2；
S400、对开槽的样品进行钝化，在样品的正面、背面和沟槽内形成介质层；
S500、刻蚀样品背面的介质层，制备背面电极并形成欧姆接触；
S600、刻蚀样品正面的介质层形成刻蚀区，所述刻蚀区与所述沟槽区的中心重合，在所述刻蚀区的中心制备正面电极并形成肖特基接触，制得测试样品，所述正面电极的宽度为W3，所述正面电极与所述刻蚀区边缘之间的距离为W4；
S700、对所述测试样品进行辐照试验，使用深能级瞬态谱议对辐照后测试样品的位移缺陷表征。


2.根据权利要求1所述的半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法，其特征在于，所述步骤S100中，所述低阻单晶样品的厚度t1为1μm-1000μm，所述低阻单晶样品的电阻率为1Ω·cm至1000Ω·cm或所述低阻单晶样品的掺杂浓度小于1e18cm-3。


3.根据权利要求2所述的半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法，其特征在于，所述步骤S200中，所述掺杂样品的厚度满足：0.8t1≥t2≥0.2t1，所述掺杂样品的电阻率为0.00001Ω·cm至10Ω·cm或所述掺杂样品的掺杂浓度大于1e18cm-3。

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【专利技术属性】
技术研发人员：李兴冀，杨剑群，李鹏伟，吕钢，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23