电子器件中氧化物层辐射诱导缺陷的检测方法技术

本发明专利技术提供了一种电子器件中氧化物层辐射诱导缺陷的检测方法，包括以下步骤：S100、选择半导体材料制备成衬底；S200、在所述衬底的上表面制备背面电极；S300、在所述背面电极上生长氧化物层；S400、对所述氧化物层的一边进行刻蚀，刻蚀部位漏出所述背面电极；S500、在所述氧化物层的上表面制备正面电极；S600、在所述正面电极上开设多个沟槽，所述多个沟槽呈网格状分布，制得测试样品；S700、对所述测试样品开展辐照试验，检测辐射诱导缺陷。通过本发明专利技术的检测方法，可以在氧化物层制备特定的缺陷检测结构，实现电子和空穴快速鉴定与检测，达到高效高灵敏度检测与判定氧化物层中辐射诱导缺陷的目的。

【技术实现步骤摘要】
电子器件中氧化物层辐射诱导缺陷的检测方法
本专利技术涉及电子器件
，具体而言，涉及一种电子器件中氧化物层辐射诱导缺陷的检测方法。
技术介绍
电子器件被辐射时会在其内部的半导体材料和氧化层中产生电子—空穴对，并且这些电子—空穴对中的大多数会发生初始复合，剩余的将在浓度梯度或电场的作用下扩散或漂移出去。在半导体材料中，电子的迁移率和空穴的迁移率相差不大，辐射剂量累积时不会产生较大的影响；而在氧化层中，空穴的迁移率和电子的迁移率相差很大，辐射形成的电子将从氧化物中迁移出去，剩余的空穴在运输过程中会被氧化物中的缺陷所俘获，形成氧化物层辐射诱导缺陷。氧化物中的辐射诱导缺陷大部分为氧空位缺陷，这些缺陷与氧化工艺相关。氧空位缺陷可以俘获空穴，同样可以俘获电子。相邻的两个硅原子间缺少氧原子时，两个硅原子间的键合力较弱，能够较容易俘获周围的空穴或电子，使两个硅原子间的键断裂，形成带正电的氧空位或带负电的氧空位，即氧化物俘获电荷。电子器件中氧化物俘获电荷直接影响电子器件的质量与可靠性。氧化物层中辐射诱导缺陷有不同的分布状态，可能带正电或负电，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子器件中氧化物层辐射诱导缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS100、选择半导体材料制备成衬底，所述衬底的电阻率为0.00001至10Ω·cm或所述衬底的掺杂浓度大于1e18cm

【技术特征摘要】
1.一种电子器件中氧化物层辐射诱导缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
S100、选择半导体材料制备成衬底，所述衬底的电阻率为0.00001至10Ω·cm或所述衬底的掺杂浓度大于1e18cm-3；
S200、在所述衬底的上表面制备背面电极；
S300、在所述背面电极上生长氧化物层；
S400、对所述氧化物层的一边进行刻蚀，刻蚀部位漏出所述背面电极；
S500、在所述氧化物层的上表面制备正面电极；
S600、在所述正面电极上开设多个沟槽，所述多个沟槽呈网格状分布，制得测试样品；
S700、对所述测试样品开展辐照试验，在电极上施加电场，检测辐照前后测试样品的漏电流，判断所述氧化物层中是否存在电子俘获陷阱/空穴俘获陷阱，并提取出所述氧化物层的俘获电子浓度/俘获空穴浓度。


2.根据权利要求1所述的电子器件中氧化物层辐射诱导缺陷的检测方法，其特征在于，所述步骤S700具体包括：
S710、将所述测试样品的电极接地，进行光子辐照，针对辐照前后的测试样品，在电极上施加的电场，检测漏电流的变化，判断氧化物层中是否存在电子俘获陷阱，根据漏电流的变化程度提取出氧化物层俘获电子浓度；
S720、在所述测试样品的电极上施加电场，进行电子辐照，针对辐照前后的测试样品，在电极上施加电场，检测漏电流的变化，判断氧化物层中是否存在空穴俘获陷阱，根据漏电流的变化程度提取出氧化物层俘获空穴浓度。


3.根据权利要求2所述的电子器件中氧化物层辐射诱导缺陷的检测方法，其特征在于，所述步骤S710具体包括：
S711、将测试样品的电极接地，进行能量小于9eV的光子辐照；
S712、针对辐照前后的测试样品，在电极上施加的10V/cm至105V/cm的电场，检测漏电流的变化；
S713、若辐照前后漏电流不发生变化，则判断氧化物层中不存在电子俘获陷阱；若辐照前后漏电流发生变化，则判断氧化物层中...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兴冀，杨剑群，吕钢，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23