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本发明提供了一种电子器件中氧化物层辐射诱导缺陷的检测方法，包括以下步骤：S100、选择半导体材料制备成衬底；S200、在所述衬底的上表面制备背面电极；S300、在所述背面电极上生长氧化物层；S400、对所述氧化物层的一边进行刻蚀，刻蚀部位漏...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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