双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法技术

本发明专利技术提供了一种双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据深能级瞬态谱中的信号峰位置，判定缺陷是否为电离缺陷；根据深能级瞬态谱中的缺陷信号能级，判定缺陷类型为氧化俘获电荷或界面态；根据缺陷信号类型的判断结果，判定双极晶体管的电离损伤敏感区。本发明专利技术检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管辐射损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。

【技术实现步骤摘要】
双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法
本专利技术涉及电子器件检测
，具体而言，涉及一种双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法。
技术介绍
双极晶体管是一种电流控制器件，广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域。在辐射环境下工作的双极晶体管受到各种粒子作用，产生电离损伤。双极晶体管由介电材料、半导体材料、导体材料及其界面组成，电离效应会在器件整个芯片中产生大量的电子—空穴对，这些电子—空穴将同时产生于介电材料、半导体材料、导体材料及其界面。并且电子—空穴对可以自由输运，在输运过程中通过自身交互作用或与周围杂质作用形成稳定缺陷，进而影响器件的性能和可靠性。不同类型的器件对缺陷敏感性不同，且不同部位的缺陷对器件性能退化程度的影响不同。如何快速表征这些缺陷的部位是研究双极晶体管辐射损伤及可靠性的关键，也是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是如何辨别及判定电离损伤条件下双极晶体管损伤敏感部位。为解决上述问题，本专利技术提供一种双极晶体管电离损伤敏感部位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS100、选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；/nS200、将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；/nS300、选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；/nS400、根据深能级瞬态谱中的信号峰位置，判定缺陷是否为电离缺陷；/nS500、根据深能级瞬态谱中的缺陷信号能级，判定缺陷的类型为氧化俘获电荷或界面态；/nS600、根据缺陷信号类型的判断结果，判定双极晶体管的电离损伤敏感区。/n

【技术特征摘要】
1.一种双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
S100、选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；
S200、将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；
S300、选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；
S400、根据深能级瞬态谱中的信号峰位置，判定缺陷是否为电离缺陷；
S500、根据深能级瞬态谱中的缺陷信号能级，判定缺陷的类型为氧化俘获电荷或界面态；
S600、根据缺陷信号类型的判断结果，判定双极晶体管的电离损伤敏感区。


2.根据权利要求1所述的双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法，其特征在于，所述步骤S600具体包括：
若缺陷信号仅有氧化俘获电荷信号，则判定双极晶体管的电离损伤敏感区为中性基区上方的氧化层β1；
若缺陷信号仅有界面态信号，则判定双极晶体管的电离损伤敏感区为发射结表面β2和中性基区表面β3；
若陷信号同时包含氧化俘获电荷信号和界面态信号，则判定双极晶体管的电离损伤敏感区为氧化层β1、发射结表面β2和中性基区表面β3。


3.根据权利要求1所述的双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法，其特征在于，所述步骤S500具体包括：
双极晶体管集电区的禁带宽度为Eg，若缺陷信号的能级小于α*Eg，则判定为氧化俘获电荷信号；
若缺陷信号的能级大于α*Eg，则判定为界面态信号；
α为判定参数，范围为0.2至0.5。


4.根据权利要求1所述的双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法，其特征在于，所述步骤S400具体包括：
若信号峰位置不随偏置电压发...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兴冀，杨剑群，吕钢，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23