MOSFET内阻检测电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电路检测技术领域，特别是一种MOSFET内阻检测电路。一种MOSFET内阻检测电路，包括，内置于电机控制器的检测电路，该检测电路包括，母线采样电阻分压采样电路，用以测出母线采样电阻分压；MOSFET内阻分压采样电路，用以测出MOSFET内阻分压；MOSFET内阻计算电路，用以计算出MOSFET内阻。本实用新型专利技术先设计一种电路测出母线采样电阻的电压，然后设计一种电路测出MOSFET的电压，然后利用欧姆定律电路计算出MOSFET的内阻。通过测试MOSFET的电阻变化，计算MOSFET的温度变化，根据他们反馈电流的比例关系，可以获取当前MOSFET的结温，在精度要求不高且成本压力较大的场合我们可以利用该方法获取电机控制器在工作状态下MOSFET的温度。

【技术实现步骤摘要】
MOSFET内阻检测电路
本技术涉及电路检测
，特别是一种MOSFET内阻检测电路。
技术介绍
MOSFET内阻值具有随温度变化的特性，所以在不同的温度条件下，从MOSFET内阻获取的相电流值与从母线采样电阻获取的相电流值是不同的。在现有技术中，对电机控制器MOSFET的检测方法一般采取以下方式，将温度传感器放置在MOSFET附近或者放置在MOSFET内部，通过热传导的形式感应MOSFET的温度，传感器将温度信号转换为电信号，传输给使用者，从而测量该位置的温度。但是现有技术中电机控制器MOSFET的检测方法存在以下问题，受传感器放置位置影响较大，不能获取MOSFET整体的温度信息。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种内置于电机控制器的MOSFET内阻检测电路，通过MOSFET内阻变化，测试MOSFET温度变化。为实现该目的，本技术提供如下技术方案：一种MOSFET内阻检测电路，包括，内置于电机控制器的检测电路，该检测电路包括，母线采样电阻分压采样电路，用以测出母线采样电阻分压；MOSFET内阻分压采样电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOSFET内阻检测电路，其特征在于：包括，内置于电机控制器的检测电路，该检测电路包括，母线采样电阻分压采样电路，用以测出母线采样电阻分压；MOSFET内阻分压采样电路，用以测出MOSFET内阻分压；MOSFET内阻计算电路，用以计算出MOSFET内阻。/n

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET内阻检测电路，其特征在于：包括，内置于电机控制器的检测电路，该检测电路包括，母线采样电阻分压采样电路，用以测出母线采样电阻分压；MOSFET内阻分压采样电路，用以测出MOSFET内阻分压；MOSFET内阻计算电路，用以计算出MOSFET内阻。


2.根据权利要求1所述的MOSFET内阻检测电路，其特征在于：所述母线采样电阻分压采样电路包括，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R3和电阻R4为一组串联，电阻R5和电阻R6为一组串联，串联后的两组电阻并联在母线采样电阻上，然后连接在运算放大器上，其中电阻R4接3.3V或5V的低压供电电源，电阻R6连接在运算放大器的输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐海霞，
申请(专利权)人：常州工业职业技术学院，
类型：新型
国别省市：江苏;32