半导体器件的热阻K值采集装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体器件的热阻K值采集装置，该半导体器件具有导通状态和截止状态，包括：电流源，具有向该半导体器件提供测试电流的输出端；选择开关，具有用于提供不同电流路径的第一开关状态和第二开关状态，以使测试电流的电流方向与该半导体器件的导通状态的电流方向相同；加热装置，该半导体器件放置在其内部，用来改变该半导体器件的温度，电压测量装置，与该半导体器件连接，具有获得该半导体器件导通电压的输入端，其中，热阻K值采集装置根据该半导体器件的导通电压随温度的变化曲线获得K值。该热阻K值采集装置通过选择开关切换电流方向，可以实现连续采集不同类型的半导体器件的热敏参数，因而提高了测试效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的热阻K值采集装置
本技术涉及半导体测试领域，更具体地，涉及半导体器件的热阻K值采集装置。
技术介绍
半导体功率器件例如包括封装成同一个器件的绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，缩写为IGBT)和快恢复二极管(FastRecoveryDiode，缩写为FRD)，快恢复二极管(FRD)与绝缘栅双极晶体管(IGBT)反向并联连接。绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种兼容MOS器件和双极器件结构的功率器件，快恢复二极管(FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管。半导体功率器件通常在感性负载条件下使用，快恢复二极管(FRD)在绝缘栅双极晶体管(IGBT)关断期间提供续流路径，以避免感性负载产生的过电压导致绝缘栅双极晶体管(IGBT)损坏，从而提高半导体功率器件的可靠性。半导体功率器件在工作过程中可能因发热使结温过高导致其损坏。因此，半导体功率器件的散热能力在封装设计和散热设计中均是重要因素。进一步地，在半导体功率器件的应用电路中，例如根据半导体功率器件的壳温和热阻计算出结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的热阻K值采集装置，所述半导体器件具有导通状态和截止状态，其特征在于，所述热阻K值采集装置包括：/n加热装置，在所述加热装置的内部放置所述半导体器件，用于改变所述半导体器件的温度；/n电流源，所述电流源具有向所述半导体器件提供测试电流的输出端；/n选择开关，连接在所述电流源和所述半导体器件之间，所述选择开关具有用于提供不同电流路径的第一开关状态和第二开关状态，以使所述测试电流的电流方向与所述半导体器件的导通状态的电流方向相同；以及/n电压测量装置，与所述半导体器件连接，具有获得所述半导体器件的导通电压的输入端，/n其中，所述热阻K值采集装置根据所述半导体器件的导通电压随温度的...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的热阻K值采集装置，所述半导体器件具有导通状态和截止状态，其特征在于，所述热阻K值采集装置包括：
加热装置，在所述加热装置的内部放置所述半导体器件，用于改变所述半导体器件的温度；
电流源，所述电流源具有向所述半导体器件提供测试电流的输出端；
选择开关，连接在所述电流源和所述半导体器件之间，所述选择开关具有用于提供不同电流路径的第一开关状态和第二开关状态，以使所述测试电流的电流方向与所述半导体器件的导通状态的电流方向相同；以及
电压测量装置，与所述半导体器件连接，具有获得所述半导体器件的导通电压的输入端，
其中，所述热阻K值采集装置根据所述半导体器件的导通电压随温度的变化曲线获得K值。


2.根据权利要求1所述的热阻K值采集装置，其特征在于，
所述选择开关包括彼此连接的第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关，所述第一单刀双掷开关具有第一固定端、第一选择端和第二选择端，所述第二单刀双掷开关具有第二固定端、第三选择端和第四选择端，
在所述选择开关的第一开关状态，所述第一固定端连接至所述第二选择端，所述第二固定端连接至第四选择端，
在所述选择开关的第二开关状态，所述第一固定端连接至所述第一选择端，所述第二固定端连接至第三选择端。


3.根据权利要求2所述的热阻K值采集装置，其特征在于，
所述半导体器件包括二极管、双极晶体管、场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管中的至少一种。


4.根据权利要求3所述的热阻K值采集装置，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管在K值采集时所述选择开关为第一开关状态，且所述测试电流从所述绝缘栅双极晶体管的集电极引脚流向发射极引脚，所述二极管在K值采集时所述选择开关为第二开关状态，且所述测试电流从所述绝缘栅双极晶体管的发射极引脚流向集电极引脚。


5.根据权利要求3所述的热阻K值采集...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪剑华，林晨轶，周鋆，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33